| 講演名 | 2018-08-07 ［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 柳 永勛(産総研), 田中 宏幸(産総研), 古賀 和博(MINIMAL), 佐藤 和重(MINIMAL), クンプアン ソマワン(産総研), 長尾 昌善(産総研), 松川 貴(産総研), 原 史朗(産総研), |
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| 抄録(和) | 本研究では，ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い，ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上に，Gate-LastとGate-FirstプロセスによるSOI-CMOSの作製に成功し，そのSOI-CMOSと1kトランジスタレベルのCMOS集積回路が正常に動作することを確認した. また，CMOS-MEMS融合デバイスとして，極薄SOIダイヤフラム上にCMOSリングオシレータを作製し，残留応力による発振周波数の変化も確認した．この結果より，ミニマルファブでCMOS論理回路及びCMOS-MEMS融合デバイス作製が可能であると言える． |
| 抄録(英) | In this work, gate-last and gate-first SOI-CMOS integrated circuits have been successfully fabricated on the minimal wafer (diameter = 12.5 mm) by using the developed minimal-fab and mega-fab hybrid process, and the normal operations of the fabricated SOI-CMOS and 1k-trnsisitor level CMOS integrated circuits have been confirmed. Moreover, as the CMOS-MEMS integrated device, the CMOS ring oscillator has been fabricated on a thin SOI diaphragm and the change of oscillation frequency has been confirmed before and after the diaphragm formation due to the residual mechanical stress. These results indicate that logic gate CMOS-IC and CMOS-MEMS devices can be fabricated using the developed minimal-fab process. |
| キーワード(和) | ミニマルファブ / SOI-CMOS / MEMS / ダイヤフラム |
| キーワード(英) | Minimal-fab / SOI-CMOS / MEMS / Diaphragm |
| 資料番号 | SDM2018-30,ICD2018-17 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2018/8/7(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 永田 真(神戸大) / 大竹 浩(NHK) / 秋田 純一(金沢大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshi Ohtake(NHK) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 池辺 将之(北海道大) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Fabrication and Characterization of SOI-CMOS Using Minimal-Fab and Mega-Fab Hybrid Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミニマルファブ / Minimal-fab |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-CMOS / SOI-CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(4)（和/英） | ダイヤフラム / Diaphragm |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柳 永勛 / Yongxun Liu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 宏幸 / Hiroyuki Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古賀 和博 / Kazuhiro Koga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 一般財団法人ミニマルファブ推進機構(略称：MINIMAL) Minimal Fab General Incorporated Association(略称：MINIMAL) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 和重 / Kazushige Sato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 一般財団法人ミニマルファブ推進機構(略称：MINIMAL) Minimal Fab General Incorporated Association(略称：MINIMAL) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | クンプアン ソマワン / Sommawan Khumpuang |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 原 史朗 / Shiro Hara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2018-08-07 |
| 資料番号 | SDM2018-30,ICD2018-17 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-172,ICD-173 |
| ページ範囲 | pp.25-30(SDM), pp.25-30(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |