| 講演名 | 2018-08-07 ［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 富澤 英之(東芝), 久留井 慶彦(東芝), 秋田 一平(産総研), 藤本 明(東芝), 齋藤 友博(東芝), 小島 章弘(東芝), 柴田 英毅(東芝), |
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| 抄録(和) | 本稿は実デバイス試作・評価結果を以て慣性系MEMSセンサにおける多結晶SiGe材料のメリットを報告する．我々は、超低消費電力な慣性MEMSセンサを作製するために、多結晶SiGe膜の応力制御を行い、厚膜、且つ低温成膜プロセスを確立することにより厚さ20?m のMEMS加速度センサの試作に成功した．SiとSiGe材料でMEMS加速度センサ構造を同一寸法で試作し、比較評価を実施した。その結果、SiGe材料のMEMS加速度センサはSi材料のそれに対して2倍以上の高感度化、低ノイズ化、及び低消費電力化が可能であることを実測し、SiGe材料が将来の超低消費電力化に有望であることを実証した． |
| 抄録(英) | In this paper, for the first time we demonstrate the material benefits of SiGe for MEMS applications based on the results of fabricated devices. To achieve SiGe inertial MEMS, we develop the deposition process for thick, low-temperature poly-SiGe film with which film stress is controlled precisely, and fabricate SiGe accelerometers having 20?m thickness. We clarify that the SiGe accelerometer shows higher sensor sensitivity and lower power consumption compared to Si one and is thus suitable for future ultra-low-power sensors. |
| キーワード(和) | IoT / Ultra-low-power Sensors / MEMS-on-CMOS / poly-SiGe / Accelerometer |
| キーワード(英) | IoT / Ultra-low-power Sensors / MEMS-on-CMOS / poly-SiGe / Accelerometer |
| 資料番号 | SDM2018-29,ICD2018-16 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2018/8/7(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 永田 真(神戸大) / 大竹 浩(NHK) / 秋田 純一(金沢大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshi Ohtake(NHK) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 池辺 将之(北海道大) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Development of SiGe-MEMS-on-CMOS technology for ultra-low-power inertial sensors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | IoT / IoT |
| キーワード(2)（和/英） | Ultra-low-power Sensors / Ultra-low-power Sensors |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS-on-CMOS / MEMS-on-CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | poly-SiGe / poly-SiGe |
| キーワード(5)（和/英） | Accelerometer / Accelerometer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 富澤 英之 / Hideyuki Tomizawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久留井 慶彦 / Yoshihiko Kurui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋田 一平 / Ippei Akita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤本 明 / Akira Fujimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 齋藤 友博 / Tomohiro Saito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小島 章弘 / Akihiro Kojima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 柴田 英毅 / Hideki Shibata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 発表年月日 | 2018-08-07 |
| 資料番号 | SDM2018-29,ICD2018-16 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-172,ICD-173 |
| ページ範囲 | pp.21-24(SDM), pp.21-24(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |