| 講演名 | 2018-07-12 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 中尾 亮(NTT), 佐藤 具就(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 松尾 慎治(NTT), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | LQE2018-22 |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2018/7/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，レーザ応用，センシング応用 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) |
| 委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) |
| 幹事補佐氏名（和） | 永井 正也(阪大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of threading dislocations and antiphase domains in MOVPE-grown GaAs on Si(100) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中尾 亮 / Ryo Nakao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2018-07-12 |
| 資料番号 | LQE2018-22 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | LQE-129 |
| ページ範囲 | pp.9-12(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) |