講演名 | 2018-07-12 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 中尾 亮(NTT), 佐藤 具就(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 松尾 慎治(NTT), |
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資料番号 | LQE2018-22 |
発行日 | 2018-07-05 (LQE) |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2018/7/12(から2日開催) |
開催地(和) | 北海道大学 |
開催地(英) | |
テーマ(和) | 受光素子,変調器,レーザ応用,センシング応用 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 浜本 貴一(九大) |
委員長氏名(英) | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) |
副委員長氏名(和) | 有賀 博(三菱電機) |
副委員長氏名(英) | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
幹事氏名(和) | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) |
幹事氏名(英) | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) |
幹事補佐氏名(和) | 永井 正也(阪大) |
幹事補佐氏名(英) | Masaya Nagai(Osaka Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Reduction of threading dislocations and antiphase domains in MOVPE-grown GaAs on Si(100) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中尾 亮 / Ryo Nakao |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社(略称:NTT) NTT Corporation(略称:NTT) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 佐藤 具就 / Tomonari Sato |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社(略称:NTT) NTT Corporation(略称:NTT) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社(略称:NTT) NTT Corporation(略称:NTT) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社(略称:NTT) NTT Corporation(略称:NTT) |
発表年月日 | 2018-07-12 |
資料番号 | LQE2018-22 |
巻番号(vol) | vol.118 |
号番号(no) | LQE-129 |
ページ範囲 | pp.9-12(LQE), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2018-07-05 (LQE) |