| 講演名 | 2018-07-13 ［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 竹中 充(東大), 高木 信一(東大), |
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| 抄録(和) | 我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し，その光変調器応用の研究を進めている．ゲート電圧印加により化合物半導体MOS界面に電子蓄積させることで，化合物半導体中の電子誘起屈折率変化を有効に活用することができる．この結果，高効率・低損失光位相変調が可能となった．位相変調効率は0.05 Vcmとなり，既存の空乏型シリコン光変調器と比較して10倍以上効率が改善した．一方，位相変調時の光損失は約1/10となることから，光変調振幅も大幅に改善可能される．本講演では，ハイブリッドMOS型光変調器の詳細を報告するとともに， 100 Gbps超の光変調器応用に関する展望を述べる． |
| 抄録(英) | We have proposed a Si hybrid MOS structure where a thin III-V semiconductor membrane is bonded on a Si waveguide with a gate dielectric for optical modulators. Electron accumulation at the III-V MOS interface induced by an application of a gate voltage enables us to use the electron-induced refractive index change in the III-V semiconductor. As a result, we have successfully achieved efficient low-loss optical phase modulation. The phase modulation efficiency is 0.05 Vcm, which is approximately 10 times better than that of a depletion-based Si optical modulator. Moreover, The optical loss accompanying with phase modulation is 10 times smaller than that of a Si optical modulator, improving optical modulation amplitude significantly. We discuss the potential of a Si hybrid MOS optical modulator beyond 100 Gbps application. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / 光変調器 / 化合物半導体 / 基板貼り合わせ |
| キーワード(英) | Si photonics / Optical Modulator / III-V Semiconductor / Wafer Bonding |
| 資料番号 | LQE2018-31 |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2018/7/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，レーザ応用，センシング応用 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) |
| 委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) |
| 幹事補佐氏名（和） | 永井 正也(阪大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Perspective of optical modulator using Si hybrid MOS phase shifter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 光変調器 / Optical Modulator |
| キーワード(3)（和/英） | 化合物半導体 / III-V Semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 基板貼り合わせ / Wafer Bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi Takagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 発表年月日 | 2018-07-13 |
| 資料番号 | LQE2018-31 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | LQE-129 |
| ページ範囲 | pp.43-46(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) |