| 講演名 | 2018-05-24 トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 八子 基樹(東大), 石川 靖彦(豊橋技科大), 和田 一実(マサチューセッツ工科大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2018-20,CPM2018-7,SDM2018-15 |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / SDM |
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| 開催期間 | 2018/5/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL |
| 開催地（英） | Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 廣瀬 文彦(山形大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 武山 真弓(北見工大) / 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Yuichi Akage(NTT) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of threading dislocation density in Ge layers on Si by introducing tunnel-shaped voids |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八子 基樹 / Motoki Yako |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 和田 一実 / Kazumi Wada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | マサチューセッツ工科大学(略称：マサチューセッツ工科大) Massachusetts Institute of Technology(略称：Massachusetts Inst. Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-05-24 |
| 資料番号 | ED2018-20,CPM2018-7,SDM2018-15 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-58,CPM-59,SDM-60 |
| ページ範囲 | pp.29-32(ED), pp.29-32(CPM), pp.29-32(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |