講演名 2018-05-16
マスク最適化のための2次計画法を用いたピクセルベースOPC手法
東 梨奈(会津大), 小平 行秀(会津大),
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抄録(和) 半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のために,光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている.光リソグラフィの解像度を改善させる技術のうち,マスクの整形によってウェハ上に転写されたパタンの忠実性を改善する技術を光近接効果補正(Optical Proximity Correction, OPC)と呼び,光リソグラフィにおいて微細化の重要な役割を担っている.一般にOPCによるマスクの補正方法はルールベースOPCとモデルベースOPCの2つのクラスに分けられ,微細化が進むにつれてモデルベースOPCの研究が広く行われている.また,モデルベースOPCのうちピクセルベースOPCは,数理モデルによりマスクの開口部・遮蔽部をピクセルごとに決めてマスク全体の形状を求める補正方法であり,複雑な形状のマスクが得られることが知られている.本稿では,ターゲットのパタン辺周りの光強度コントラストを2次計画法によって最大化させる,プロセスばらつきを考慮したピクセルベースOPCを提案する.
抄録(英) Due to continuous shrinking of Critical Dimensions (CD) in semiconductor manufacturing, advance of process technology in optical lithography is required. As a main stream among resolution enhance techniques to improve resolution, Optical Proximity Correction (OPC), which raises shape fidelity of formed patterns on wafers by mask correction to designed patterns, is essential to achieve scale down of CD in the optical lithography. In general, methods of mask correction by OPC are divided into two classes: rule-based OPC and model-based OPC. Recently, model-based OPC is broadly studied. Moreover, pixel-base OPC, which is one of model-base OPCs, decides opening or shielding part for each pixel in the mask and forms entire mask shape by mathematical models. This pixel-base OPC is known that it outputs very complicated mask geometry. In this paper, we propose process variation-aware pixel-based OPC which maximizes contrast of intensity around edges of target patterns by using Quadratic Programming.
キーワード(和) リソグラフィ / リソグラフィシミュレーション / 光近接効果補正 / 製造容易設計
キーワード(英) lithography / lithography simulation / optical proximity correction (OPC) / design for manufacturability (DFM)
資料番号 VLD2018-3
発行日 2018-05-09 (VLD)

研究会情報
研究会 VLD / IPSJ-SLDM
開催期間 2018/5/16(から1日開催)
開催地(和) 北九州国際会議場
開催地(英) Kitakyushu International Conference Center
テーマ(和) システム設計および一般
テーマ(英) System Design, etc.
委員長氏名(和) 越智 裕之(立命館大) / 田宮 豊(富士通研)
委員長氏名(英) Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Laboratories)
副委員長氏名(和) 峯岸 孝行(三菱電機)
副委員長氏名(英) Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 永山 忍(広島市大) / 新田 高庸(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 柴田 誠也(NEC) / 密山 幸男(高知工科大) / 細谷 英一(NTT)
幹事氏名(英) Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Koyo Nitta(NTT) / Seiya Shibata(NEC) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / Eiichi Hosoya(NTT)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology
本文の言語 ENG-JTITLE
タイトル(和) マスク最適化のための2次計画法を用いたピクセルベースOPC手法
サブタイトル(和)
タイトル(英) Pixel-based OPC using Quadratic Programming for Mask Optimization
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) リソグラフィ / lithography
キーワード(2)(和/英) リソグラフィシミュレーション / lithography simulation
キーワード(3)(和/英) 光近接効果補正 / optical proximity correction (OPC)
キーワード(4)(和/英) 製造容易設計 / design for manufacturability (DFM)
第 1 著者 氏名(和/英) 東 梨奈 / Rina Azuma
第 1 著者 所属(和/英) 会津大学(略称:会津大)
The University of Aizu(略称:Univ. of Aizu)
第 2 著者 氏名(和/英) 小平 行秀 / Yukihide Kohira
第 2 著者 所属(和/英) 会津大学(略称:会津大)
The University of Aizu(略称:Univ. of Aizu)
発表年月日 2018-05-16
資料番号 VLD2018-3
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) VLD-29
ページ範囲 pp.31-36(VLD),
ページ数 6
発行日 2018-05-09 (VLD)