| 講演名 | 2018-05-25 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 矢田 拓夢(上智大), 内田 和希(上智大), 杉山 滉一(上智大), Periyanayagam Gandhi Kallarasan(上智大), 韓 旭(上智大), 相川 政輝(上智大), 早坂 夏樹(上智大), 下村 和彦(上智大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 我々は，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスを集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板に1.5?m帯GaInAsPブロード・ストライプレーザを集積して，電流注入による発振特性をInP基板上の同構造レーザと比較したので，その結果を報告する． |
| 抄録(英) | We have proposed monolithic integration of optical device on hydrophilic bonded InP/Si substrate via MOVPE. We have fabricated 1.5 ?m GaInAsP broad and stripe laser diode on InP/Si substrate. In this report, we describe mainly comparison of lasing characteristics between hydrophilic bonded InP/Si substrate and InP substrate. |
| キーワード(和) | InP / Si / 直接貼付 / MOVPE / 集積 / 光デバイス / レーザ |
| キーワード(英) | InP / Si / direct wafer bonding / MOVPE / integration / optical device / semiconductor laser |
| 資料番号 | LQE2018-16 |
| 発行日 | 2018-05-17 (LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / LSJ |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/5/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | 芦原温泉清風荘 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び光デバイス全般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / The Laser Society of Japan |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparison of GaInAsP laser diode between hydrophilic bonded InP/Si substrate and InP substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | 直接貼付 / direct wafer bonding |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 集積 / integration |
| キーワード(6)（和/英） | 光デバイス / optical device |
| キーワード(7)（和/英） | レーザ / semiconductor laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢田 拓夢 / Hiromu Yada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内田 和希 / Kazuki Uchida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉山 滉一 / Hirokazu Sugiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | Periyanayagam Gandhi Kallarasan / Periyanayagam Gandhi Kallarasan |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 韓 旭 / Xu Han |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 相川 政輝 / Masaki Aikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 早坂 夏樹 / Natsuki Hayasaka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-05-25 |
| 資料番号 | LQE2018-16 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | LQE-62 |
| ページ範囲 | pp.25-28(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-05-17 (LQE) |