| 講演名 | 2018-04-27 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール 川崎 健吾(三菱電機), 桑田 英悟(三菱電機), 石橋 秀則(三菱電機), 矢尾 知博(三菱電機), 石田 清(三菱電機), 前田 和弘(三菱電機), 柴田 博信(三菱電機), 津留 正臣(三菱電機), 森 一富(三菱電機), 下沢 充弘(三菱電機), 福本 宏(三菱電機), |
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| 抄録(和) | ここではSiGeチップとGaNチップを3次元実装した小型・高出力S帯送信モジュールの試作結果を報告する．GaNチップは送信モジュールの最終段となる高出力増幅器を備え，樹脂基板に内蔵される．SiGeチップは移相器および可変利得増幅器を備え，GaNチップ内蔵樹脂基板の上にフリップチップ実装される．試作したモジュールサイズは7mm×7mmである．試作した送信モジュールのS帯におけるRMS移相量誤差と振幅誤差は，それぞれ1.3度と0.31dBであり，飽和出力電力(Psat)は32dBmであった． |
| 抄録(英) | A SiGe chip and GaN chip packaged Tx module in S-band is represented. SiGe and GaN with Redistribution Layer (RDL) are integrated in 3D package. A chip embedding substrate is adopted and the GaN chip consisting of a power amplifier is embedded in the substrate. SiGe chip consisting a phase shifter and a variable gain amplifier is flip-chip bonded on the GaN chip embedded substrate. The package area of the Tx module is 7mm by 7mm. The measured RMS phase error rate of 1.3 degree and RMS amplitude error rate of 0.31dB are obtained in S-band, respectively. The maximum output power of 32dBm is achieved in S-band. |
| キーワード(和) | パッケージ / 銅ピラー / チップ内蔵 / MMIC / SiGe HBT / GaN HEMT / 送信モジュール |
| キーワード(英) | Package / Cu Pillar / Chip embedding substrate / MMIC / SiGe HBT / GaN HEMT / Tx module |
| 資料番号 | WPT2018-5,MW2018-5 |
| 発行日 | 2018-04-20 (WPT, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / WPT |
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| 開催期間 | 2018/4/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館B2F 1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Building |
| テーマ（和） | 電力伝送／マイクロ波・一般 |
| テーマ（英） | Wireless Power Transfer / microwave, general |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 陳 強(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUC) / Chenq Kiyou(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 関 智弘(日大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTTdocomo) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Tomohiro Seki(Nihon Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 平野 拓一(東工大) / 中村 宝弘(日立) / 平山 裕(名工大) / 日景 隆(北大) |
| 幹事氏名（英） | Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Takahiro Nakamura(HITACHI) / Hiroshi Hirayama(Nagoya Inst. of Tech.) / Takashi Hikage(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小野 哲(電通大) / 本良 瑞樹(東北大) / 居村 岳広(東大) / 花澤 理宏(株式会社UL Japan) |
| 幹事補佐氏名（英） | Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Takehiro Imura(Univ. of Tokyo) / Masahiro Hanazawa(UL Japan) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Wireless Power Transfer |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | S-band Tx Module with Cu Pillar Interconnection Si/GaN 3D Chip Embedding Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パッケージ / Package |
| キーワード(2)（和/英） | 銅ピラー / Cu Pillar |
| キーワード(3)（和/英） | チップ内蔵 / Chip embedding substrate |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(6)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(7)（和/英） | 送信モジュール / Tx module |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川崎 健吾 / Kengo Kawasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石橋 秀則 / Hidenori Ishibashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 矢尾 知博 / Tomohiro Yao |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石田 清 / Kiyoshi Ishida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前田 和弘 / Kazuhiro Maeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 柴田 博信 / Hironobu Shibata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 津留 正臣 / Masaomi Tsuru |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 下沢 充弘 / Mitsuhiro Shimozawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 福本 宏 / Hiroshi Fukumoto |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric Corp.) |
| 発表年月日 | 2018-04-27 |
| 資料番号 | WPT2018-5,MW2018-5 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | WPT-17,MW-18 |
| ページ範囲 | pp.19-23(WPT), pp.19-23(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-04-20 (WPT, MW) |