| 講演名 | 2018-04-07 InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ 東 龍之介(高知工科大), 是友 大地(高知工科大), 田中 宏怜(高知工科大), 髙橋 誠一郎(三井金属鉱業), 八島 勇(三井金属鉱業), 古田 守(高知工科大), |
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| 抄録(和) | In?Ga?Zn?O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有するが、超高精細や駆動回路内蔵ディスプレイには更なる移動度向上が求められている。IGZO材料系ではIn組成比を増大することで移動度向上が図れることが知られているが、キャリア生成要因となる真性欠陥（酸素欠損）が増大する課題がある。今回我々はIn比率を増大させたIGZO TFTにおいて高移動度化と高信頼性化を両立するため、組成の異なるIGZOを積層したヘテロチャネル構造を提案・検討した。ヘテロチャネル構造を用いることで高い移動度を維持しつつ、バイアスストレス信頼性を大幅に改善可能であることを示す。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | InGaZnOx(IGZO) / 薄膜トランジスタ(TFT) / バイアスストレス信頼性 / ヘテロチャネル |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2018-7,OME2018-7 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2018/4/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin-film transistor with InGaZnOx-hetero-channel |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnOx(IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) |
| キーワード(3)（和/英） | バイアスストレス信頼性 |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロチャネル |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 東 龍之介 / Ryunosuke Higashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 是友 大地 / Daichi Koretomo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 宏怜 / Hirosato Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 髙橋 誠一郎 / Seiichiro Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三井金属鉱業株式会社(略称：三井金属鉱業) Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.(略称：Mitsui Mining & Smelting Co.,LTD) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八島 勇 / Isamu Yashima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三井金属鉱業株式会社(略称：三井金属鉱業) Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.(略称：Mitsui Mining & Smelting Co.,LTD) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古田 守 / Mamoru Furuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-04-07 |
| 資料番号 | SDM2018-7,OME2018-7 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.29-31(SDM), pp.29-31(OME), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |