| 講演名 | 2018-04-07 InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 曲 勇作(高知工科大), 牧野 久雄(高知工科大), 橋本 慎輔(高知工科大), 濵田 賢一朗(高知工科大), 増田 健太郎(高知工科大), 古田 守(高知工科大), |
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| 抄録(和) | In?Ga?Zn?O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSchottky特性を示すことが報告されているがその起源は不明な点も多く、界面物性の理解と制御はデバイス応用の観点からも重要である。本研究ではCrKα(5415 eV)X線源を用いた硬X線光電子分光法を用い、IGZO/AgOX界面でのバンドベンディングおよび電子状態とSchottky特性との関連を評価した。また、IGZO/AgOXショットキー接合をゲート電極に用いたフレキシブルMES-FETに関しても報告する。 |
| 抄録(英) | Oxide heterojunction of the In?Ga?Zn?O (IGZO) and the silver oxide (AgOX) has been reported to exhibit better Schottky characteristics than conventional metal?amorphous oxide semiconductor junctions. To the vest of our knowledge, the origin of Schottky properties of InGaZnO/AgOX hetero-interface has not been reported in detail. In this study, we investigated the physical properties of AgOX and the electronic states at IGZO/AgOX interface by the hard X-ray photoelectron spectroscopy with a CrKα (5415 eV) X-ray source. |
| キーワード(和) | InGaZnOx(IGZO) / 酸化銀(AgOX) / Schottkyダイオード / IGZO/AfOX界面 / 金属半導体電界効果トランジスタ(MES-FET) / フレキシブルデバイス |
| キーワード(英) | InGaZnOx(IGZO) / Silver-oxide / Schottky diode / IGZO/AfOX interface / MES-FET / Flexible device |
| 資料番号 | SDM2018-8,OME2018-8 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2018/4/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Origin of Schottky properties in InGaZnOX/AgOX hetero-interface and its application to flexible device. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnOx(IGZO) / InGaZnOx(IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化銀(AgOX) / Silver-oxide |
| キーワード(3)（和/英） | Schottkyダイオード / Schottky diode |
| キーワード(4)（和/英） | IGZO/AfOX界面 / IGZO/AfOX interface |
| キーワード(5)（和/英） | 金属半導体電界効果トランジスタ(MES-FET) / MES-FET |
| キーワード(6)（和/英） | フレキシブルデバイス / Flexible device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 曲 勇作 / Yusaku Magari |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧野 久雄 / Hisao Makino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 慎輔 / Shinsuke Hashimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 濵田 賢一朗 / Kenichiro Hamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 増田 健太郎 / Kentaro Masuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古田 守 / Mamoru Furuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-04-07 |
| 資料番号 | SDM2018-8,OME2018-8 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.33-36(SDM), pp.33-36(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |