| 講演名 | 2018-04-20 [Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology 前嶋 洋(東芝メモリ), 神田 和重(東芝メモリ), 藤村 進(東芝メモリ), 高際 輝男(東芝メモリ), 小澤 進(東芝メモリ), 佐藤 順平(東芝メモリ), 進藤 佳彦(東芝メモリ), 佐藤 学(東芝メモリ), 金川 直晃(東芝メモリ), 武者 淳二(東芝メモリ), 井上 諭(東芝メモリ), 櫻井 克彰(東芝メモリ), 橋本 寿文(東芝メモリ), Hao Nguyen(ウェスタンデジタル), Ken Cheah(ウェスタンデジタル), 菅原 寛(ウェスタンデジタル), Seungpil Lee(ウェスタンデジタル), 久田 俊記(東芝メモリ), 金子 哲也(東芝メモリ), 中村 寛(東芝メモリ), |
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| 抄録(和) | 96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善の為に3つの特徴的な技術を採用した。即ち、(1)ストリングベースの書き込み開始電圧制御技術により書き込み時間を7%短縮し、(2)トラッキング時間の短縮とプログラムサスペンド機能に対応したsmart Vtトラッキングリードを実装することで、リトライリード性能を向上させ、(3)センスアンプバスの充電レベル低減方式により、センスアンプとキャッシュデータラッチ間のデータ転送時間と消費電力の双方を半減できた。 |
| 抄録(英) | A 512Gb 3b/cell flash has been developed on a 96-WL-layer BiCS FLASH technology. This work implements three key technologies to improve performance: (1) a string based start bias control scheme achieves a 7% shorter program time; (2) a smart Vt-tracking read improves read retry performance by minimizing the tracking time and supporting a program suspend read function, and; (3) a low-pre-charge sense-amplifier bus scheme reduces both the power consumption and the data-transfer time between the sense amplifier and the data cache by half. |
| キーワード(和) | 3Dフラッシュメモリ / BiCS / 96ワードライン層 / NANDフラッシュメモリ / 不揮発性メモリ |
| キーワード(英) | 3D-flash memory / BiCS / 96-word-line-layer / NAND flash memory / Non-volatile memory |
| 資料番号 | ICD2018-10 |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2018/4/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（深層学習、ニューロモルフィック、セキュリティ）および一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3Dフラッシュメモリ / 3D-flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | BiCS / BiCS |
| キーワード(3)（和/英） | 96ワードライン層 / 96-word-line-layer |
| キーワード(4)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前嶋 洋 / Hiroshi Maejima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神田 和重 / Kazushige Kanda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤村 進 / Susumu Fujimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高際 輝男 / Teruo Takagiwa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小澤 進 / Susumu Ozawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐藤 順平 / Jumpei Sato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 進藤 佳彦 / Yoshihiko Shindo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐藤 学 / Manabu Sato |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 金川 直晃 / Naoaki Kanagawa |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 武者 淳二 / Junji Musha |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 井上 諭 / Satoshi Inoue |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 櫻井 克彰 / Katsuaki Sakurai |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 橋本 寿文 / Toshifumi Hashimoto |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | Hao Nguyen / Hao Nguyen |
| 第 14 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | Ken Cheah / Ken Cheah |
| 第 15 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 菅原 寛 / Hiroshi Sugawara |
| 第 16 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | Seungpil Lee / Seungpil Lee |
| 第 17 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 18 著者 氏名（和/英） | 久田 俊記 / Toshiki Hisada |
| 第 18 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 19 著者 氏名（和/英） | 金子 哲也 / Tetsuya Kaneko |
| 第 19 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 第 20 著者 氏名（和/英） | 中村 寛 / Hiroshi Nakamura |
| 第 20 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 発表年月日 | 2018-04-20 |
| 資料番号 | ICD2018-10 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ICD-10 |
| ページ範囲 | pp.39-44(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) |