| 講演名 | 2018-04-07 ［招待講演］Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化・高機能化 原 明人(東北学院大), 内海 大樹(東北学院大), 西口 尚希(東北学院大), 宮崎 僚(東北学院大), |
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| 抄録(和) | 銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化（MIC）を用いて自己整合平面型ダブルゲート(DG) 構造および自己整合平面型４端子(4T)構造を有する多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)および多結晶ゲルマニウムスズ(poly-Ge1-xSnx) 薄膜トランジスタ(TFT)を形成した. さらに, 塗布プラスチック上にトップゲート(TG) Cu-MIC poly-Ge TFTを実現した. これらのTFTは, アルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD (Al-LM-SD)により, SD領域を金属化して寄生抵抗を低減している. 本報告では, これらのTFTの性能について紹介する. また, 4T多結晶シリコン(poly-Si) TFTを利用したCMOSインバータについても簡単に紹介する. |
| 抄録(英) | We have fabricated self-aligned planar double-gate (DG) or self-aligned planar four-terminal (4T) polycrystalline germanium (poly-Ge) and polycrystalline germanium-tin (poly-Ge1-xSnx) thin-film transistors (TFTs) via copper metal-induced crystallization (Cu-MIC). Furthermore, we have fabricated top-gate poly-Ge TFTs via Cu-MIC on spin-coated plastic films. In these TFTs, the parasitic resistance of the source drains (SD) was reduced via aluminum-induced lateral metallization of the SD. In this article, we report the performance of these TFTs. In addition, we briefly comment on the performance of 4T polycrystalline silicon TFTs and complementary metal-oxide-semiconductor inverters. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / ゲルマニウムスズ / シリコン / 薄膜トランジスタ / プラスチック / フレキシブル |
| キーワード(英) | Ge / Ge1-xSnx / Si / TFT / Plastic / Flexible |
| 資料番号 | SDM2018-5,OME2018-5 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2018/4/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化・高機能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] High Performance and Functional Group-Ⅳ Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウムスズ / Ge1-xSnx |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Si |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(5)（和/英） | プラスチック / Plastic |
| キーワード(6)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内海 大樹 / Hiroki Utsumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西口 尚希 / Naoki Nishiguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮崎 僚 / Ryo Miyazaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-04-07 |
| 資料番号 | SDM2018-5,OME2018-5 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.19-24(SDM), pp.19-24(OME), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |