| 講演名 | 2018-03-08 垂直磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/D022-Mn3Ge二層構造 薮下 大嗣(東工大), 松下 直輝(東工大), 飯沼 真優(東工大), 高村 陽太(東工大), 園部 義明(サムソン), 中川 茂樹(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EMD2017-77,MR2017-48,SCE2017-48,EID2017-50,ED2017-122,CPM2017-142,SDM2017-122,ICD2017-127,OME2017-71 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / EID / SDM / ICD / MR / SCE / OME / EMD |
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| 開催期間 | 2018/3/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東レ総合研修センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路デバイス境界技術領域合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 小南 裕子(静岡大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 岡本 好弘(愛媛大) / 明連 広昭(埼玉大) / 森 竜雄(愛知工大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Yoshihiro Okamoto(Ehime Univ.) / Hiroaki Myoren(Saitama Univ.) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) / 木村 睦(龍谷大) / 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / / / 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / / / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / 立木 隆(防衛大) / 山下 太郎(NICT) / 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) / 林 優一(奈良先端大) / 水上 雅人(室蘭工大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / Takashi Tachiki(National Defense Academy) / Taro Yamashita(NICT) / Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Yuichi Hayashi(NAIST) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 永澤 鶴美(東芝) / 吉田 周平(近畿大) / 赤池 宏之(大同大) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) / 萓野 良樹(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Tazumi Nagasawa(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Hiroyuki Akaike(Daido Univ.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Committee on Superconductive Electronics / Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 垂直磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/D022-Mn3Ge二層構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Co2FeSi/D022-Mn3Ge bilayers for perpendicular magnetic tunnel junction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 薮下 大嗣 / Taishi Yabushita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松下 直輝 / Naoki Matsushita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯沼 真優 / Mayu Iinuma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高村 陽太 / Yota Takamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 園部 義明 / Yoshiaki Sonobe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | サムスン日本研究所(略称：サムソン) Samsung R&D Institute Japan(略称：Samsung) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-03-08 |
| 資料番号 | EMD2017-77,MR2017-48,SCE2017-48,EID2017-50,ED2017-122,CPM2017-142,SDM2017-122,ICD2017-127,OME2017-71 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EMD-492,MR-493,SCE-494,EID-495,ED-496,CPM-497,SDM-498,ICD-499,OME-500 |
| ページ範囲 | pp.25-29(EMD), pp.25-29(MR), pp.25-29(SCE), pp.25-29(EID), pp.25-29(ED), pp.25-29(CPM), pp.25-29(SDM), pp.25-29(ICD), pp.25-29(OME), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |