講演名 2018-03-02
同期機構の改良によるPL-PUFのシリコン実装
小笠原 泰弘(産総研), 堀 洋平(産総研), 小池 帆平(産総研),
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抄録(和) 本論文では疑似線形フィードバックシフトレジスタ PUF (PL-PUF) の最初の実チップ上でのスタンダードセルによる実装を行う. PL-PUF は SRAM PUF 等とは異なり, PL-PUF 回路自身が直接レスポンスを生成する特徴を持つ. 電源電圧の変化よる再現性の低下を抑える方式の提案を行い, 実チップ上での良好な再現性を実証する. 65nm プロセスで製造した試作チップの測定結果において, 実装された PL-PUF 回路は良好な再現性 (クラス内ハミング距離 $mu$=1.09-10.52$%$), ユニーク性 (クラス間ハミング距離 $mu$=49.01-49.56$%$, $sigma$=5.38-5.77$%$, ビットあたりエントロピー 0.983-0.941) を示した.
抄録(英) In this study, we demonstrate the first implementation of a pseudo linear feedback shift register physical unclonable function (PL-PUF) on silicon, and a proposal of the power supply design to obtain fine reproducibility. Unlike SRAM PUFs, a PL-PUF can generate responses without memory cells, and therefore is secure against attacks extracting internal memory values. and implement PL-PUF on 65nm CMOS process. Implemented PL-PUF achieves fine reproducibility ($mu$=1.09-10.52$%$ fractional HD) and uniqueness ($mu$=49.01-49.56$%$, $sigma$=5.38-5.77$%$ class-to-class HD, 0.983-0.941 entropy) on silicon.
キーワード(和) PUF / ハードウェアセキュリティ / リングオシレータ / 電源電圧変動
キーワード(英) PUF / hardware security / ring oscillator / power supply voltage
資料番号 VLD2017-126
発行日 2018-02-21 (VLD)

研究会情報
研究会 VLD / HWS
開催期間 2018/2/28(から3日開催)
開催地(和) 沖縄県青年会館
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術
テーマ(英)
委員長氏名(和) 越智 裕之(立命館大)
委員長氏名(英) Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.)
副委員長氏名(和) 峯岸 孝行(三菱電機)
副委員長氏名(英) Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 永山 忍(広島市大) / 新田 高庸(NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事氏名(英) Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Koyo Nitta(NTT)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Hardware Security
本文の言語 JPN
タイトル(和) 同期機構の改良によるPL-PUFのシリコン実装
サブタイトル(和)
タイトル(英) PL-PUF Implementation by Improvement of Capturing Timing Control Circuit
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) PUF / PUF
キーワード(2)(和/英) ハードウェアセキュリティ / hardware security
キーワード(3)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator
キーワード(4)(和/英) 電源電圧変動 / power supply voltage
第 1 著者 氏名(和/英) 小笠原 泰弘 / Yasuhiro Ogasahara
第 1 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 堀 洋平 / Yohei Hori
第 2 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 3 著者 氏名(和/英) 小池 帆平 / Hanpei Koike
第 3 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
発表年月日 2018-03-02
資料番号 VLD2017-126
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) VLD-455
ページ範囲 pp.225-229(VLD),
ページ数 5
発行日 2018-02-21 (VLD)