| 講演名 | 2018-03-08 ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 原 直紀(富士通/富士通研), 高橋 剛(富士通/富士通研), 川野 陽一(富士通/富士通研), 中舍 安宏(富士通/富士通研), |
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| 抄録(和) | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なトランジスタの材料として用いられてきた。本稿ではⅢ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの研究開発の現状と今後の展望をまとめる。 |
| 抄録(英) | III-V Compound Semiconductors have superior properties, such as high electron mobility and high breakdown voltage, compared with Si, and suitable for high frequency applications. Present status and prospect of III-V RF devices are discussed. |
| キーワード(和) | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 高周波デバイス |
| キーワード(英) | III-V Compound Semiconductor Devices / RF Devices |
| 資料番号 | EMD2017-73,MR2017-44,SCE2017-44,EID2017-46,ED2017-118,CPM2017-138,SDM2017-118,ICD2017-123,OME2017-67 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / EID / SDM / ICD / MR / SCE / OME / EMD |
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| 開催期間 | 2018/3/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東レ総合研修センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路デバイス境界技術領域合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 小南 裕子(静岡大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 岡本 好弘(愛媛大) / 明連 広昭(埼玉大) / 森 竜雄(愛知工大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Yoshihiro Okamoto(Ehime Univ.) / Hiroaki Myoren(Saitama Univ.) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) / 木村 睦(龍谷大) / 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / / / 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / / / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / 立木 隆(防衛大) / 山下 太郎(NICT) / 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) / 林 優一(奈良先端大) / 水上 雅人(室蘭工大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / Takashi Tachiki(National Defense Academy) / Taro Yamashita(NICT) / Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Yuichi Hayashi(NAIST) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 永澤 鶴美(東芝) / 吉田 周平(近畿大) / 赤池 宏之(大同大) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) / 萓野 良樹(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Tazumi Nagasawa(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Hiroyuki Akaike(Daido Univ.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Committee on Superconductive Electronics / Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Present status and prospect of III-V RF devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / III-V Compound Semiconductor Devices |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波デバイス / RF Devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所(略称：富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories(略称：Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所(略称：富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories(略称：Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川野 陽一 / Yoichi Kawano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所(略称：富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories(略称：Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所(略称：富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories(略称：Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 発表年月日 | 2018-03-08 |
| 資料番号 | EMD2017-73,MR2017-44,SCE2017-44,EID2017-46,ED2017-118,CPM2017-138,SDM2017-118,ICD2017-123,OME2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EMD-492,MR-493,SCE-494,EID-495,ED-496,CPM-497,SDM-498,ICD-499,OME-500 |
| ページ範囲 | pp.9-10(EMD), pp.9-10(MR), pp.9-10(SCE), pp.9-10(EID), pp.9-10(ED), pp.9-10(CPM), pp.9-10(SDM), pp.9-10(ICD), pp.9-10(OME), |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |