| 講演名 | 2018-02-28 ［招待講演］半導体薄膜の熱電特性 太田 裕道(北大), |
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| 抄録(和) | 熱電能（≡Seebeck 係数, S）は, 金属または半導体の両端に温度差を与えた時に発生する熱起電力の温度係数であり, 熱電変換材料にとって重要な物理的性質であるとともに, 材料の電子構造を理解するために有用である. S 値はフェルミエネルギー近傍の電子状態密度に強く依存する. バルクの場合, 伝導帯下端近傍のDOS の放物線的なE－k 関係から, キャリア濃度の対数に対する|S|の傾きは－ln10?kB?e－1（≡－198 μV K－1）だが, 2 次元量子井戸や1次元ナノワイヤのような低次元構造のように, DOS を変形させることにより, S 値を変化させることができる. ここでは, いくつかの酸化物ベースの電界効果トランジスタの熱電能電界変調について紹介する. |
| 抄録(英) | Themopower (≡Seebeck coefficient, S), which is a physical phenomenon that thermo-electromotive force isgenerated between two ends of a metal or semiconductor by introducing a temperature difference in the material, is known as not only an important physical property for thermoelectric energy conversion but also a useful to understand electronic structures of materials since |S| strongly depends on the energy derivative of the electronic density of states at around the Fermi energy. In case of bulk system, the slope of log n vs. S relation should be ?ln 10?kB?e－1 (≡ －198 μV K－1) since parabolic shaped E－k relation at around the conduction band minimum is generally observed. Further, an enhanced S can be observed by modifying the DOS in low-dimensional structures such as 2D quantum-wells and 1D nanowires. Here I review electric field modulated thermopower of several oxide-based transistors. |
| キーワード(和) | 熱電特性 / ゼーベック効果 / 二次元電子系 |
| キーワード(英) | Thermoelectric properties / Seebeck effect / 2D electron system |
| 資料番号 | ED2017-109,SDM2017-109 |
| 発行日 | 2018-02-21 (ED, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM |
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| 開催期間 | 2018/2/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］半導体薄膜の熱電特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Thermoelectric Properties of Semiconductor Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電特性 / Thermoelectric properties |
| キーワード(2)（和/英） | ゼーベック効果 / Seebeck effect |
| キーワード(3)（和/英） | 二次元電子系 / 2D electron system |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 裕道 / Hiromichi Ohta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-02-28 |
| 資料番号 | ED2017-109,SDM2017-109 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-453,SDM-454 |
| ページ範囲 | pp.23-26(ED), pp.23-26(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-02-21 (ED, SDM) |