講演名 2018-02-28
表面電位顕微鏡を用いたナノ材料ゼーベック係数測定手法の開発
鈴木 悠平(静岡大), 岡 晃人(静岡大), 川合 健斗(静岡大), 立岡 浩一(静岡大), 猪川 洋(静岡大), 下村 勝(静岡大), 村上 健司(静岡大), ファイズ サレ(マラヤ大), 池田 浩也(静岡大),
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抄録(和) 熱電変換効率を向上するための方策のひとつとしてナノ構造材料の導入が期待されているが,そのためにはナノスケール材料の熱電特性評価技術が不可欠である.我々は,ナノスケールの熱電材料のゼーベック係数を測定するために,表面電位顕微鏡(KFM)を用いた新しい手法を開発している.KFMでは試料とカンチレバーの局所的なフェルミエネルギー差を測定できるので,温度差を与えた試料の高温部分と低温部分の表面電位差と温度差がわかれば,ゼーベック係数を評価できる.本研究では,SOI(Si on insulator)基板に温度差を与えたときのKFMによる熱起電力測定を確認するとともに,局所的に温度を測定するためにKFMを使った温度計測技術についても報告する.
抄録(英) Although the introduction of nanostructures into thermoelectric materials is one of key technology for enhancement in thermoelectric conversion efficiency, a technique for characterizing the nanometer-scale material is required. With the aim of evaluating Seebeck coefficient of nanostructured thermoelectric materials, we propose a new technique by Kelvin-probe force microscopy (KFM) which gives us local surface potential corresponding to the Fermi energy difference of a sample relative to the cantilever. Hence, thermoelectromotive force and temperature difference are obtained from the surface potentials and temperatures at the high- and low-temperature regions on the sample, which leads to evaluation of Seebeck coefficient. In this study, the Seebeck coefficient of Si-on-insulator (SOI) layer is evaluated by KFM. In addition, the measurement technique of local temperature by KFM is also described.
キーワード(和) 熱電変換 / ナノ構造 / ゼーベック係数 / 表面電位顕微鏡(KFM)
キーワード(英) thermoelectrics / nanostructure / Seebeck coefficient / Kelvin-probe force microscopy (KFM)
資料番号 ED2017-110,SDM2017-110
発行日 2018-02-21 (ED, SDM)

研究会情報
研究会 ED / SDM
開催期間 2018/2/28(から1日開催)
開催地(和) 北海道大学百年記念会館
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ.
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies
委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
副委員長氏名(和) 須原 理彦(首都大) / 品田 高宏(東北大)
副委員長氏名(英) Michihiko Suhara(TMU) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
幹事氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)
幹事補佐氏名(和) 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ)
幹事補佐氏名(英) Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 表面電位顕微鏡を用いたナノ材料ゼーベック係数測定手法の開発
サブタイトル(和)
タイトル(英) Construction of Seebeck coefficient evaluation technique by Kelvin-probe force microscopy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 熱電変換 / thermoelectrics
キーワード(2)(和/英) ナノ構造 / nanostructure
キーワード(3)(和/英) ゼーベック係数 / Seebeck coefficient
キーワード(4)(和/英) 表面電位顕微鏡(KFM) / Kelvin-probe force microscopy (KFM)
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 悠平 / Yuhei Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 岡 晃人 / Akito Oka
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 川合 健斗 / Taketo Kawai
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 立岡 浩一 / Hirokazu Tatsuoka
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 猪川 洋 / Hiroshi Inokawa
第 5 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 下村 勝 / Masaru Shimomura
第 6 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 村上 健司 / Kenji Murakami
第 7 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) ファイズ サレ / Faiz Salleh
第 8 著者 所属(和/英) マラヤ大学(略称:マラヤ大)
University of Malaya(略称:Univ. of Malaya)
第 9 著者 氏名(和/英) 池田 浩也 / Hiroya Ikeda
第 9 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
発表年月日 2018-02-28
資料番号 ED2017-110,SDM2017-110
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-453,SDM-454
ページ範囲 pp.27-30(ED), pp.27-30(SDM),
ページ数 4
発行日 2018-02-21 (ED, SDM)