講演名 2018-02-28
レジスト溝内に選択配置して作製した金ナノ粒子配列での単一電子帯電効果
松本 和彦(電通大), 森林 誠(電通大), 谷貝 知起(電通大), 守屋 雅隆(電通大), 島田 宏(電通大), 木村 康男(東京工科大), 平野 愛弓(東北大), 廣瀬 文彦(山形大), 水柿 義直(電通大),
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抄録(和) 金ナノ粒子を島電極とした単一電子素子の作製が広く行われているが、金ナノ粒子の位置制御に困難さがある。レジスト溝を用いて金ナノ粒子を分散させながら配置させる方法が報告されており、溝内の金ナノ粒子同士をトンネル接合で接続させることができれば、単一電子素子の作製の有用な手段の一つとなると考えられる。本研究では、異なる溝幅をもつレジスト溝を用いて、チオール分子で接続された粒径30nmの金ナノ粒子を配置し、配置状態や配列の電気的特性を評価した。作製した金ナノ粒子の配列では、4.2 Kにて単一電子トランジスタに特有な電流抑制現象やゲート応答が得られた。
抄録(英) Single-electron devices with gold nanoparticles as island electrodes have been widely fabricated, but position control of gold nanoparticles is difficult. There has been reported a method in which gold nanoparticles are arranged and dispersed using resist grooves, and if one can connect gold nanoparticles with a tunnel junctions in the groove, it becomes one of useful methods for fabricating a single-electronic device. In this study, we have placed the 30nm of gold nanoparticles connected by thiol molecules inside resist grooves with different widths, and evaluated their placement states and electrical characteristics. Current suppression phenomenon and gate responses similar to those of a single-electron transistor was obtained at 4.2 K.
キーワード(和) 単一電子帯電効果 / 金ナノ粒子 / レジスト溝
キーワード(英) Single Electron Effects / Gold Nanoparticle / Resist Groove
資料番号 ED2017-106,SDM2017-106
発行日 2018-02-21 (ED, SDM)

研究会情報
研究会 ED / SDM
開催期間 2018/2/28(から1日開催)
開催地(和) 北海道大学百年記念会館
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ.
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies
委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
副委員長氏名(和) 須原 理彦(首都大) / 品田 高宏(東北大)
副委員長氏名(英) Michihiko Suhara(TMU) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
幹事氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)
幹事補佐氏名(和) 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ)
幹事補佐氏名(英) Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) レジスト溝内に選択配置して作製した金ナノ粒子配列での単一電子帯電効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Single-electron effects observed in arrays of gold nanoparticles selectively-placed in resist grooves.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 単一電子帯電効果 / Single Electron Effects
キーワード(2)(和/英) 金ナノ粒子 / Gold Nanoparticle
キーワード(3)(和/英) レジスト溝 / Resist Groove
第 1 著者 氏名(和/英) 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
第 2 著者 氏名(和/英) 森林 誠 / Makoto Moribayashi
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
第 3 著者 氏名(和/英) 谷貝 知起 / Tomoki Yagai
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
第 4 著者 氏名(和/英) 守屋 雅隆 / Masataka Moriya
第 4 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
第 5 著者 氏名(和/英) 島田 宏 / Hiroshi Shimada
第 5 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
第 6 著者 氏名(和/英) 木村 康男 / Yasuo Kimura
第 6 著者 所属(和/英) 東京工科大学(略称:東京工科大)
Tokyo University of Technology(略称:Tokyo Univ. Technology)
第 7 著者 氏名(和/英) 平野 愛弓 / Ayumi Hirano-Iwata
第 7 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose
第 8 著者 所属(和/英) 山形大学(略称:山形大)
Yamagata University(略称:Yamagata Univ.)
第 9 著者 氏名(和/英) 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki
第 9 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC Tokyo)
発表年月日 2018-02-28
資料番号 ED2017-106,SDM2017-106
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-453,SDM-454
ページ範囲 pp.11-14(ED), pp.11-14(SDM),
ページ数 4
発行日 2018-02-21 (ED, SDM)