| 講演名 | 2018-02-08 ［招待講演］分子接合技術による次世代配線形成 八甫谷 明彦(東芝), 森 邦夫(いおう化学研), |
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| 抄録(和) | 被着体に分子1層を化学的に結合させて材料表面全体を同一化し，強固に接合できる分子接合技術を適用した。この技術を用いて，平滑なポリイミドフィルム上へ直接銅めっきすることでメタライズし，高性能で安価なフレキシブルプリント配線板（FPC）を開発し，製品へ展開した。 |
| 抄録(英) | We have developed a molecular bonding technology that forms a layer of molecules on the surface of the adherends and provides a smooth surface with strong joining force for the manufacturing of structures composed of different materials. We have applied this technology to the process of direct copper plating on a polyimide film with a smooth surface in order to manufacture flexible printed circuits (FPCs) with high performance and low cost, and have been launching products equipped with these FPCs. |
| キーワード(和) | 分子接合技術 / プリント配線板 / FPC / シード層 |
| キーワード(英) | Molecular Bonding Technology / PCB / FPC / Seed layer |
| 資料番号 | SDM2017-103 |
| 発行日 | 2018-02-01 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2018/2/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷 |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］分子接合技術による次世代配線形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Next Generation Circuit Fabrication by Molecular Bonding Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子接合技術 / Molecular Bonding Technology |
| キーワード(2)（和/英） | プリント配線板 / PCB |
| キーワード(3)（和/英） | FPC / FPC |
| キーワード(4)（和/英） | シード層 / Seed layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八甫谷 明彦 / Akihiko Happoya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 邦夫 / Kunio Mori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社いおう化学研究所(略称：いおう化学研) Sulfur Chemical Institute Inc.(略称：SCL) |
| 発表年月日 | 2018-02-08 |
| 資料番号 | SDM2017-103 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-429 |
| ページ範囲 | pp.31-34(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-02-01 (SDM) |