| 講演名 | 2018-01-25 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上 金木 奨太(北大), 西口 賢弥(北大), 尾崎 史郎(富士通研), 橋詰 保(北大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2017-95,MW2017-164 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / MW |
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| 開催期間 | 2018/1/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階研修2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 村口 正弘(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Masahiro Muraguchi(TUC) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTTdocomo) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 平野 拓一(東工大) / 中村 宝弘(日立) |
| 幹事氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Takahiro Nakamura(HITACHI) |
| 幹事補佐氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小野 哲(電通大) / 本良 瑞樹(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Current Linearity in Inslated Gate AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金木 奨太 / Shota Kaneki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西口 賢弥 / Kenya Nishiguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 尾崎 史郎 / Siro Ozaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社 富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-01-25 |
| 資料番号 | ED2017-95,MW2017-164 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-412,MW-413 |
| ページ範囲 | pp.11-14(ED), pp.11-14(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |