講演名 2018-01-30
負荷変動時のリンギング検出によるデジタル電源出力コンデンサの故障予測
中尾 宏(富士通研), 米澤 遊(富士通研), 中島 善康(富士通研), 黒川 不二雄(長崎総合科学大),
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抄録(和) 山中の携帯基地局等のインフラ系施設では、維持管理における信頼性と保守コストのバランスが課題である。中でも電源装置およびそこに搭載された電解コンデンサは消耗部品であり、通常、冗長化とスポット保守で信頼性を担保している。安価な劣化監視/故障予測技術が実現されれば、定期保守の予防保全効果改善により、スポット保守コストが削減できる。著者らはデジタル制御特有の現象として、コンデンサ劣化に伴うESR増加がステップ応答波形にリンギングを発生させることを見いだした。制御マイコンが通常取得するデータのみで検出可能であり、追加回路無しにソフトウェアのみで実現できる劣化監視/故障予測手法として有効である。
抄録(英) Electrolytic capacitors are known as one of the highest failure rate components in switching mode power supply SMPS). We found low stability phenomenon of digitally controlled SMPS caused by capacitor equivalent serial resistance (ESR) degradation. This low stability phenomenon is digitally control oriented and suitable for degradation detection or failure prediction of electrolytic capacitor.
キーワード(和) デジタル制御電源 / 電解コンデンサ / 故障予測 / リンギング
キーワード(英) Digitally controlled SMPS / Electrolytic capacitor / degradation detection / failure prediction / low stability phenomenon
資料番号 EE2017-71
発行日 2018-01-22 (EE)

研究会情報
研究会 EE
開催期間 2018/1/29(から2日開催)
開催地(和) サテライトキャンパスおおいた (大分市)
開催地(英) Satellite Campus Oita
テーマ(和) 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 黒川 不二雄(長崎大)
委員長氏名(英) Fujio Kurokawa(Nagasaki Univ.)
副委員長氏名(和) 中原 正俊(崇城大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ)
副委員長氏名(英) Masatoshi Nakahara(Sojo Univ.) / Keiichi Hirose(NTT-F)
幹事氏名(和) 末次 正(福岡大)
幹事氏名(英) Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.)
幹事補佐氏名(和) 梶原 一宏(長崎総合科学大) / 松下 傑(NTTファシリティーズ) / 丸田 英徳(長崎大)
幹事補佐氏名(英) kazuhiro Kajiwara(NiAS) / Takashi Matsushita(NTT-F) / Hidenori Maruta(Nagasaki Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications
本文の言語 JPN
タイトル(和) 負荷変動時のリンギング検出によるデジタル電源出力コンデンサの故障予測
サブタイトル(和)
タイトル(英) Failure Prediction Using Low Stability Phenomenon of Digitally Controlled SMPS by Electrolytic Capacitor ESR Degradation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) デジタル制御電源 / Digitally controlled SMPS
キーワード(2)(和/英) 電解コンデンサ / Electrolytic capacitor
キーワード(3)(和/英) 故障予測 / degradation detection
キーワード(4)(和/英) リンギング / failure prediction
キーワード(5)(和/英) / low stability phenomenon
第 1 著者 氏名(和/英) 中尾 宏 / Hiroshi Nakao
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Fujitsu LAB)
第 2 著者 氏名(和/英) 米澤 遊 / Yu Yonezawa
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Fujitsu LAB)
第 3 著者 氏名(和/英) 中島 善康 / Yoshiyasu Nakashima
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Fujitsu LAB)
第 4 著者 氏名(和/英) 黒川 不二雄 / Fujio Kurokawa
第 4 著者 所属(和/英) 長崎総合科学大学(略称:長崎総合科学大)
The Nagasaki Institute of Applied Science(略称:NiAS)
発表年月日 2018-01-30
資料番号 EE2017-71
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) EE-424
ページ範囲 pp.165-170(EE),
ページ数 6
発行日 2018-01-22 (EE)