| 講演名 | 2018-01-30 SiC-MOSFETのスイッチング特性およびドレイン‐ゲート間相互作用の測定 谷口 大樹(鹿児島大), 田中 哲郎(鹿児島大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EE2017-68 |
| 発行日 | 2018-01-22 (EE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2018/1/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスおおいた (大分市) |
| 開催地（英） | Satellite Campus Oita |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連，一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 黒川 不二雄(長崎大) |
| 委員長氏名（英） | Fujio Kurokawa(Nagasaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 中原 正俊(崇城大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) |
| 副委員長氏名（英） | Masatoshi Nakahara(Sojo Univ.) / Keiichi Hirose(NTT-F) |
| 幹事氏名（和） | 末次 正(福岡大) |
| 幹事氏名（英） | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 梶原 一宏(長崎総合科学大) / 松下 傑(NTTファシリティーズ) / 丸田 英徳(長崎大) |
| 幹事補佐氏名（英） | kazuhiro Kajiwara(NiAS) / Takashi Matsushita(NTT-F) / Hidenori Maruta(Nagasaki Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC-MOSFETのスイッチング特性およびドレイン‐ゲート間相互作用の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Switching Characteristics and Drain-Gate Interaction of SiC-MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷口 大樹 / Daiki Taniguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 哲郎 / Tetsuro Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-01-30 |
| 資料番号 | EE2017-68 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EE-424 |
| ページ範囲 | pp.151-156(EE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-01-22 (EE) |