| 講演名 | 2018-01-25 c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 川原崎 匠(静岡大), 梅原 直己(静岡大), 名嘉眞 朝泰(静岡大), 小南 裕子(静岡大), 原 和彦(静岡大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。まず、基板加熱方式を管状ヒーターと基板部分の局所加熱を併用するハイブリッド型の基板加熱方式に変更し、原料の気相反応の抑制効果を示した。次に、初期核形成が薄膜の品質影響を詳細に調べるために、成長温度と供給ガス流量を変化させ初期核形成の状態を観察した。その結果、成長温度は成長速度と核密度に影響し、NH3の供給量は核形成の振る舞いに影響を与えることがわかった。 |
| 抄録(英) | The hexagonal boron nitride (h-BN) thin films were grown on a c-plane sapphire substrate by low pressure chemical vapor deposition using BCl3 and NH3 as sources. First, we investigated the effects of heating methods in order to suppress the gas phase reaction of sources. Next, in order to understand the influences of initial nucleation on the quality of the thin film, the situations of initial nucleation were investigated for the samples grown by changing the growth temperature and the supply rate of HN3 gas. We have found that the growth temperature influences the growth rate and density of nuclear, and the supply amount of NH3 influences the behavior of nucleation. |
| キーワード(和) | 六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / カソードルミネッセンス |
| キーワード(英) | hexagonal boron nitride / CVD / thin film / cathodoluminescence |
| 資料番号 | EID2017-30 |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEIJ-SSL / SID-JC / IEE-EDD |
|---|---|
| 開催期間 | 2018/1/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学 浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ., Hamamatsu |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 藤崎 好英(NHK) |
| 委員長氏名（英） | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Yoshihide Fujisaki(NHK) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 山口 留美子(秋田大) / 木村 宗弘(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Munehiro Kimura(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大) / 石鍋 隆宏(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) / Takahiro Ishinabe(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / Division of Solid State Light Sources / Society for Information Display Japan Chapter / Technical Meeting on Electron Devices |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin Film Formation Mechanism of Hexagonal Boron Nitride on c-Plane Sapphire Substrates by Low Pressure CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | カソードルミネッセンス / cathodoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川原崎 匠 / Takumi Kawarazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梅原 直己 / Naoki Umehara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 名嘉眞 朝泰 / Tomoyasu Nakama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko Hara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-01-25 |
| 資料番号 | EID2017-30 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EID-411 |
| ページ範囲 | pp.1-4(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) |