| 講演名 | 2018-01-25 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 白鳥 悠太(NTT), 星 拓也(NTT), 井田 実(NTT), 松崎 秀昭(NTT), |
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| 抄録(和) | 基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT）を作製し，放熱性向上による高周波特性の改善を試みた．試作したSiC基板上DHBT（エミッタ寸法：0.35 μm x 6.0 μm）では，放熱性の向上により30 mA/μm2以上の高いコレクタ電流密度においても殆ど電流利得低下なく動作した．また，同様のエピ構造を有するInP基板上DHBTと比較して，高い電流利得遮断周波数及び最大発振周波数が得られた．これは接合温度の低減によりコレクタ中の電子速度が向上し，カーク効果が抑制されたためと考えられる．以上のことから，放熱性に優れるSiC基板上DHBT構造は，高電流注入密度化による高速化に有効である． |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | InP / ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / SiC基板 / 基板接合 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2017-96,MW2017-165 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / MW |
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| 開催期間 | 2018/1/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階研修2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 村口 正弘(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Masahiro Muraguchi(TUC) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTTdocomo) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 平野 拓一(東工大) / 中村 宝弘(日立) |
| 幹事氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Takahiro Nakamura(HITACHI) |
| 幹事補佐氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小野 哲(電通大) / 本良 瑞樹(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF performance improvement of InP-based Double-Heterojunction Bipolar Transistors by SiC heat-spreading substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| キーワード(3)（和/英） | SiC基板 |
| キーワード(4)（和/英） | 基板接合 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 拓也 / Takuya Hoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井田 実 / Minoru Ida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2018-01-25 |
| 資料番号 | ED2017-96,MW2017-165 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-412,MW-413 |
| ページ範囲 | pp.15-18(ED), pp.15-18(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |