| 講演名 | 2018-01-25 Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 増田 裕一郎(静岡大), 長瀬 剛(静岡大), 国枝 航(静岡大), 光野 徹也(静岡大), 小南 裕子(静岡大), 原 和彦(静岡大), |
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| 抄録(和) | Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の成長を行い，主として発光特性に焦点をあて膜特性の評価を行った．まず、このCVDにおいても，GaNの高温成長前に約600 ℃で低温緩衝層を堆積させることにより，GaN膜の結晶性および発光特性の向上に繋がることがわかった．また，GaNの高温成長前にGaを先行供給して熱処理を施すことにより，低温緩衝層を堆積させることなく，GaN膜を平坦化できる可能性が示唆された．さらに，発光特性の改善を確認した． |
| 抄録(英) | We have grown gallium nitride (GaN) thin films on c-plane sapphire substrate by chemical vapor deposition (CVD) using Ga vapor and NH3. It was found that the improvement of crystalline and luminescence characteristics of the GaN films can be achieved for the CVD of this study by depositing a low temperature buffer layer at 600 ℃ before the growth of GaN at high temperature (1100 ℃). It was also suggested that the heat treatment in Ga vapor prior to high temperature growth enhances the lateral growth of GaN films without depositing a low temperature buffer layer, which resulted in the improvement of luminescence property. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / フォトルミネッセンス / 化学気相法 / 薄膜成長 |
| キーワード(英) | gallium nitride / photoluminescence / chemical vapor deposition / thin films growth |
| 資料番号 | EID2017-31 |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEIJ-SSL / SID-JC / IEE-EDD |
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| 開催期間 | 2018/1/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学 浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ., Hamamatsu |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小南 裕子(静岡大) / 藤崎 好英(NHK) |
| 委員長氏名（英） | Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Yoshihide Fujisaki(NHK) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 山口 留美子(秋田大) / 木村 宗弘(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Munehiro Kimura(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大) / 石鍋 隆宏(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) / Takahiro Ishinabe(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / Division of Solid State Light Sources / Society for Information Display Japan Chapter / Technical Meeting on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence characteristics of GaN films grown by chemical vapor deposition using Ga vapor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | 化学気相法 / chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜成長 / thin films growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 裕一郎 / Yuichiro Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長瀬 剛 / Tsuyoshi Nagase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 国枝 航 / Wataru Kunieda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 光野 徹也 / Tetsuya Kouno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko Hara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 発表年月日 | 2018-01-25 |
| 資料番号 | EID2017-31 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EID-411 |
| ページ範囲 | pp.5-8(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) |