講演名 2017-12-18
摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成
伊藤 孝郁(東北大), 田邉 匡生(東北大), 松永 晃典(東北大), 小山 裕(東北大),
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抄録(和) 半導体デバイスプロセスにおける新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。非線形光学デバイスにも有用である複屈折性を発現する2D層状構造の半導体結晶を1層ずつ簡易に成膜できる可能性がある。本研究では潤滑材として有名である二硫化モリブデン(MoS2)に着目し、MoS2層状構造の形成に適する基板の表面について検討した。
抄録(英) We propose a novel fabrication process of 2D layered semiconductors by using tribochemical reaction. This study is focused on the formation of chalcogenide 2D layered semiconductor, molybdenum disulfide (MoS2), using tribological chemical reaction of Molybdenum dialkyldithiocarbamates(MoDTC) to MoS2. MoS2 is an expected semiconductor for a field effect transistor(FET) with higher speed and lower electric power. This study investigated surface reaction activity of MoDTC to MoS2 on various stainless steel surfaces.
キーワード(和) MoS2 / 2D層状構造 / 2次元材料 / カルコゲナイド / 摩擦成膜
キーワード(英) MoS2 / 2D Layered Structure / 2D Materials / Chalcogenide / Friction Process
資料番号 ED2017-75
発行日 2017-12-11 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2017/12/18(から2日開催)
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems
委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
副委員長氏名(和) 須原 理彦(首都大)
副委員長氏名(英) Michihiko Suhara(TMU)
幹事氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)
幹事補佐氏名(和) 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Tribological formation of chalcogenide 2D layered semiconductor MoS2 thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MoS2 / MoS2
キーワード(2)(和/英) 2D層状構造 / 2D Layered Structure
キーワード(3)(和/英) 2次元材料 / 2D Materials
キーワード(4)(和/英) カルコゲナイド / Chalcogenide
キーワード(5)(和/英) 摩擦成膜 / Friction Process
第 1 著者 氏名(和/英) 伊藤 孝郁 / Takafuki Ito
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 田邉 匡生 / Tadao Tanabe
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 松永 晃典 / Akinori Matsunaga
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 小山 裕 / Yutaka Oyama
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
発表年月日 2017-12-18
資料番号 ED2017-75
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-364
ページ範囲 pp.13-14(ED),
ページ数 2
発行日 2017-12-11 (ED)