| 講演名 | 2017-12-08 光援用アニールを施したNドープZnO材料の光デバイス応用 竪 直也(九大), |
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| 抄録(和) | 近年我々は，酸化物半導体の単結晶に対して，注入したドーパントとその近傍に光誘起される局在光エネルギー場との間に発現する特異な相互作用を活用した独自のアニール処理を施すことで，入射した直線偏光に対し巨大な光変調効果を示すことを見出し，現在試作デバイスを用いた多様な検証実験を行っている．本発表では，この光変調効果の基盤となる物理原理と共に試作デバイスの作成および機能原理を示し，高速スイッチング応用を念頭においたデバイス仕様に関する各種アニール条件依存性に関する検証実験とその結果について述べる． |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 空間光変調器 / 酸化亜鉛（ZnO） / 局在光エネルギー場 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | OPE2017-113 |
| 発行日 | 2017-11-30 (OPE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2017/12/7(から2日開催) |
| 開催地（和） | まりんぴあみやこ |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポーネント(フィルタ，コネクタ，MEMS)、シリコンフォトニクス、その他一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 加藤 和利(九大) |
| 委員長氏名（英） | Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 佐藤 功紀(古河電工) |
| 副委員長氏名（英） | Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 幹事氏名（和） | 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大) |
| 幹事氏名（英） | Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光援用アニールを施したNドープZnO材料の光デバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recent study on device applications of N-doped ZnO crystal processed by laser-assisted annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 空間光変調器 |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化亜鉛（ZnO） |
| キーワード(3)（和/英） | 局在光エネルギー場 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竪 直也 / Naoya Tate |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-08 |
| 資料番号 | OPE2017-113 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | OPE-339 |
| ページ範囲 | pp.121-124(OPE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-30 (OPE) |