| 講演名 | 2017-12-01 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 瀬下 清(九大), 土肥 俊郎(九大), 大坪 正徳(九大), 塚本 敬一(九大), 高木 正孝(フジボウ愛媛), 市川 大造(不二越機械工業), |
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| 抄録(和) | サファイヤ，SiC，GaNなどの難加工性材料基板のスマートポリシング加工技術構築の鍵を握るのがダイラタンシー材料である.この加工特性を決定づける要因解明にあたり,オストワルドの流動の式における指数n＞1.0に注目し, 高加工能率・高加工面品位を両立するための最適なダイラタンシー材料を開発する上で,落槌試験による新しい物性評価技術を確立し,さらに試作したパッドによる加工特性を評価した.その結果,従来技術と比較して加工レートが2.5～10倍,加工面粗さ1/3,ウエハ内のスクラッチ数：1/100,加工変質層深さ1/10に向上させることができ,高能率・高品位加工の実用化を可能にした. |
| 抄録(英) | Dilatancy material has hold the key to construct Smart-polishing technology for hard-to-process material substrates such as Sapphire, SiC, and GaN. Regarding on the factors that determines the polishing characteristic, We have focused onto the index n > 1.0 in Ostwald's flow equation in order to develop the optimum dilatancy material for satisfy both between high polishing efficiency and high polishing surface quality. And therefore, a new property evaluation technique has been established by drop impact tests and further evaluated the Polishing characteristics of the prototype pad. As a result, Compared to the conventional technology, the material removal rates can be increased to 2.5 to 10 times, the surface roughness is 1/3rd, the number of scratches in the wafer: 1/100th, the depth of the latent damage layer is 1/10th, and high efficiency making it possible to put high-grade polishing into practical use. |
| キーワード(和) | CMP / SiC / ダイラタンシー現象 / オストワルドの流動 / 落鎚試験 / 衝撃速度 / 材料評価法 / 加工変質層 |
| キーワード(英) | CMP / SiC / dilatancy phenomenon / Ostwald’s flow / ｄrop impact test / impact speed / material evaluation method / process- damage layer |
| 資料番号 | OME2017-42 |
| 発行日 | 2017-11-24 (OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2017/12/1(から1日開催) |
| 開催地（和） | サンメッセ鳥栖 |
| 開催地（英） | Sun Messe Tosu |
| テーマ（和） | 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜、機能デバイス、材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Organic molecular devices, biotechnology, thin film, novel material, evaluation method, etc |
| 委員長氏名（和） | 森 竜雄(愛知工大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 |
| サブタイトル（和） | ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 |
| タイトル（英） | Smart polishing by applying the limelight Dilatancy-Pad |
| サブタイトル（和） | Evaluation for Dilatancy-Pad materials and SiC substrates's polishing characteristics |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | ダイラタンシー現象 / dilatancy phenomenon |
| キーワード(4)（和/英） | オストワルドの流動 / Ostwald’s flow |
| キーワード(5)（和/英） | 落鎚試験 / ｄrop impact test |
| キーワード(6)（和/英） | 衝撃速度 / impact speed |
| キーワード(7)（和/英） | 材料評価法 / material evaluation method |
| キーワード(8)（和/英） | 加工変質層 / process- damage layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀬下 清 / Kiyoshi Seshimo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土肥 俊郎 / Tshiro Doi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大坪 正徳 / Masanori Ohtsubo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 塚本 敬一 / Keiichi Tukamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高木 正孝 / Masataka Takagi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | フジボウ愛媛株式会社(略称：フジボウ愛媛) FUJIBO Ehime Co.,Ltd.(略称：FUJIBO Ehime) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 市川 大造 / Daizo Ichikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 不二越機械工業株式会社(略称：不二越機械工業) Fujikoshi Machinery Corp.(略称：Fjikoshi Machinery) |
| 発表年月日 | 2017-12-01 |
| 資料番号 | OME2017-42 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | OME-334 |
| ページ範囲 | pp.31-36(OME), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-24 (OME) |