| 講演名 | 2017-12-14 ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化 下川 直樹(明大), 和田 和千(明大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ゲート接地増幅回路とソース接地増幅回路を組み合わせた，雑音打消しLNAの内部に並列負帰還を用いた回路が知られている．低雑音化，低消費電力化が実現する一方で，負帰還をかける際に結合容量を用いていることから，面積は増大している．結合容量を用いない設計で任意のバイアスを与えるためには，ソース接地回路の設計に制約が生じる．本稿では，ソース接地回路の負荷を分割することにより，この制約を解消し，回路の低面積化を実現する． |
| 抄録(英) | A common gate-common source (CG-CS) low noise amplifier (LNA), which has an internal feedback using a coupling capacitor, has been known. The design without using the capacitor causes some restrictions on the design of the common source circuit to apply arbitrary bias. In this paper, a CG-CS LNA without using the capacitor solving the problem by dividing a load resister is proposed. |
| キーワード(和) | 低雑音増幅器 / フィードバック / 結合容量 / 雑音指数 / IIP2 / IIP3 |
| キーワード(英) | low noise amplifier / feed back / coupling capacitor / noise figure / IIP2 / IIP3 |
| 資料番号 | CAS2017-79,ICD2017-67,CPSY2017-76 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY / CAS |
|---|---|
| 開催期間 | 2017/12/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | アートホテル石垣島 |
| 開催地（英） | Art Hotel Ishigakijima |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 平木 充(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Mitsuru Hiraki(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 岡崎 秀晃(湘南工科大) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Hideaki Okazaki(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 山口 基(ルネサスシステムデザイン) / 橘 俊宏(湘南工科大) |
| 幹事氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Motoi Yamaguchi(Renesas) / Toshihiro Tachibana(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 中村 洋平(日立) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yohei Nakamura(Hitachi) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Circuits and Systems |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Area of a Low-Power Noise Cancelling LNA with Shunt Feedback Utilizing the Gate Grounded MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低雑音増幅器 / low noise amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | フィードバック / feed back |
| キーワード(3)（和/英） | 結合容量 / coupling capacitor |
| キーワード(4)（和/英） | 雑音指数 / noise figure |
| キーワード(5)（和/英） | IIP2 / IIP2 |
| キーワード(6)（和/英） | IIP3 / IIP3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 下川 直樹 / Naoki Shimokawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji University(略称：Meiji Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 和千 / Kazuyuki Wada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji University(略称：Meiji Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-14 |
| 資料番号 | CAS2017-79,ICD2017-67,CPSY2017-76 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | CAS-343,ICD-344,CPSY-345 |
| ページ範囲 | pp.79-84(CAS), pp.79-84(ICD), pp.79-84(CPSY), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |