講演名 2017-12-14
低消費電力発振器型センサ回路におけるゲートリークの影響
今中 有介(東工大), 伊藤 浩之(東工大), 道正 志郎(東工大), 石原 昇(東工大), 益 一哉(東工大),
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抄録(和) 弛張発振器をベースとしたセンサ回路は,カウンタを使ってセンサ信号を容易にデジタル化できることや,カウンタの計測時間に応じて分解能を可変にできるといったメリットを有する.この回路をサブマイクロワット級の消費電力で動作させるためには,定常電流を消費するコンパレータの低消費電力化が課題となる.低消費電力化によりコンパレータの応答時間が悪化するため,これを用いた弛張発振器型センサ回路においては測定精度が劣化することが問題となる.本研究グループでは,これまで180nm Si CMOSプロセスを用いた発振器型センサ回路を開発しているが,本稿では応答速度向上のため65nm Si CMOSプロセスの利用を検討した.回路シミュレーションによる解析の結果,サブマイクロワット級の動作を目指す場合に比較的微細なトランジスタを用いるとゲートリークの影響により正常に動作しない場合があることが分かった.
抄録(英) A sensor circuit based on a relaxation oscillator has merits such that a sensor signal can be easily digitized using a counter and resolution can be varied according to the measurement time of a counter. In order to operate this circuit with sub-μW consumption, low power consumption of a comparator that consumes steady current is a problem. Since the response time of the comparator is getting worse due to low power consumption, in the sensor circuit based on a relaxation oscillator using this, the problem is that the measurement accuracy is getting worse. In this research group, we are developing an oscillator type sensor circuit using 180 nm Si CMOS process, but in this paper we investigated the use of 65 nm Si CMOS process to improve response speed . As a result of analysis by circuit simulation,in the case of aiming for sub-μW class operation, it was found that when using a relatively fine transistor, it may not operate properly due to the influence of gate leak.
キーワード(和) センサ回路 / 発振器 / 低消費電力化
キーワード(英)
資料番号 CAS2017-96,ICD2017-84,CPSY2017-93
発行日 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY)

研究会情報
研究会 ICD / CPSY / CAS
開催期間 2017/12/14(から2日開催)
開催地(和) アートホテル石垣島
開催地(英) Art Hotel Ishigakijima
テーマ(和) 学生・若手研究会
テーマ(英)
委員長氏名(和) 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 平木 充(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Mitsuru Hiraki(Renesas)
副委員長氏名(和) 永田 真(神戸大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 岡崎 秀晃(湘南工科大)
副委員長氏名(英) Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Hideaki Okazaki(Shonan Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 山口 基(ルネサスシステムデザイン) / 橘 俊宏(湘南工科大)
幹事氏名(英) Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Motoi Yamaguchi(Renesas) / Toshihiro Tachibana(Shonan Inst. of Tech.)
幹事補佐氏名(和) 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 中村 洋平(日立)
幹事補佐氏名(英) Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yohei Nakamura(Hitachi)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Circuits and Systems
本文の言語 JPN
タイトル(和) 低消費電力発振器型センサ回路におけるゲートリークの影響
サブタイトル(和)
タイトル(英) Gate Leakage Issues in Low-Power Oscillator-type Sensor Circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) センサ回路
キーワード(2)(和/英) 発振器
キーワード(3)(和/英) 低消費電力化
第 1 著者 氏名(和/英) 今中 有介 / Yusuke Imanaka
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech.)
第 2 著者 氏名(和/英) 伊藤 浩之 / Hiroyuki Ito
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech.)
第 3 著者 氏名(和/英) 道正 志郎 / Shiro Dosho
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech.)
第 4 著者 氏名(和/英) 石原 昇 / Noboru Ishihara
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech.)
第 5 著者 氏名(和/英) 益 一哉 / Kazuya Masu
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech.)
発表年月日 2017-12-14
資料番号 CAS2017-96,ICD2017-84,CPSY2017-93
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) CAS-343,ICD-344,CPSY-345
ページ範囲 pp.137-137(CAS), pp.137-137(ICD), pp.137-137(CPSY),
ページ数 1
発行日 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY)