| 講演名 | 2017-12-22 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 平出 惇(芝浦工大), 山口 正樹(芝浦工大), 増田 陽一郎(八戸工大), |
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| 抄録(和) | シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は，不揮発性メモリ，フォトニック結晶，圧電MEMSなどへの応用が期待されている．しかし，圧電応用をするにあたっては，一般に厚膜のパターニングを行う必要がある．電子よりも約1800倍重たい素粒子であるプロトンは，被照射物質内部において散乱されにくいため，電子ビーム露光よりも優れた露光光源になると考えられる．そこで我々は，プロトンビームを用いた新たな露光・加工技術の提案をしてきた．本報告では，シリコン基板上に形成された非鉛強誘電体であるチタン酸ビスマス(Bi4Ti3O12)に，照射プロトンビームが与える効果について検討を行った． X線回折の結果から，照射プロトンビーム量に依存して，チタン酸ビスマスの結晶性が制御できることが明らかになった． |
| 抄録(英) | Ferroelectric thin films deposited on silicon substrates are expected to be applied to nonvolatile memories, photonic crystals, piezoelectric MEMS, and the like. However, when considering piezoelectric application, thick film patterning problem arises. A proton is an elementary particle having a mass of about 1,800 times that of an electron. Therefore, it is considered that the scattering inside the substance is less than the electron. Thus, we are proposing a new processing technology using proton beam. In this report, we investigated the influence of proton irradiation on bismuth titanate thick film, which is a lead-free ferroelectric material on a silicon substrate. When the proton beam was irradiated on the crystallized film, it was confirmed that the crystallinity was deteriorated by the increase in irradiation amount from the measurement result of X-ray diffraction intensity and ferroelectric properties. |
| キーワード(和) | プロトンビーム / Bi4Ti3O12 |
| キーワード(英) | Proton beam / Bi4Ti3O12 |
| 資料番号 | EID2017-22,SDM2017-83 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / EID |
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| 開催期間 | 2017/12/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 小南 裕子(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 木村 睦(龍谷大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electronic Information Displays |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modification effects of ferroelectric thick-film properties on silicon substrates by proton beam irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロトンビーム / Proton beam |
| キーワード(2)（和/英） | Bi4Ti3O12 / Bi4Ti3O12 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平出 惇 / Jun Hirade |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学(略称：芝浦工大) Shibaura Institute of Technology(略称：Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学(略称：芝浦工大) Shibaura Institute of Technology(略称：Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 八戸工業大学(略称：八戸工大) Hachinohe Institute of Technology(略称：Hachinohe Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-12-22 |
| 資料番号 | EID2017-22,SDM2017-83 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EID-372,SDM-373 |
| ページ範囲 | pp.57-62(EID), pp.57-62(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |