| 講演名 | 2017-12-22 レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 野村 竜生(龍谷大), 荒牧 達也(龍谷大), 松田 時宜(龍谷大), 梅田 鉄馬(奈良先端大), 上沼 睦典(奈良先端大), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 廃熱を回収し，効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられている．しかし，熱電変換素子として期待されている酸化物半導体には希少金属が使用されていることが多い．そこで，我々はレアメタルフリー酸化物半導体であるGTO薄膜を用いた熱電変換素子を研究している．本研究ではGTO熱電変換素子のアニール，酸素流量比，成膜圧力の依存性の評価を行った．酸素流量比Ar/O2=20/4 sccmの時でゼーベック係数が－284 μV/K，導電率は3.9 S/cm，PFは0.031 mW/m K2となった．今後成膜条件を最適化していくことで，より性能の向上がみられると考える． |
| 抄録(英) | It is thought that if we convert thermal energy to electric energy efficiently, we can reduce the amount of oil used. However, rare metals are often used for oxide semiconductors which are expected as thermoelectric conversion elements. Therefore, we are researching thermoelectric conversion elements using GTO thin film which is a rare metal free oxide semiconductor. In this study, the dependence on the annealing, oxygen flow rate ratio and film forming pressure of the GTO thermoelectric conversion element was evaluated. When the oxygen flow rate ratio Ar / O2 = 20/4 sccm, the Seebeck coefficient was -284 μV / K, the conductivity was 3.9 S / cm, and the PF was 0.031 mW / m K2. We believe that performance will be improved by optimizing the film forming conditions in the future. |
| キーワード(和) | 熱電効果 / ゼーベック効果 / 酸化物半導体 |
| キーワード(英) | Thermoelectric effect / Seebeck effect / Oxide semiconductor |
| 資料番号 | EID2017-17,SDM2017-78 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / EID |
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| 開催期間 | 2017/12/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 小南 裕子(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 木村 睦(龍谷大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electronic Information Displays |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Seebeck effect measurement of rare metal free oxide semiconductor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電効果 / Thermoelectric effect |
| キーワード(2)（和/英） | ゼーベック効果 / Seebeck effect |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 竜生 / Ryuki Nomura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒牧 達也 / Tatsuya Aramaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 梅田 鉄馬 / Kenta Umeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-22 |
| 資料番号 | EID2017-17,SDM2017-78 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EID-372,SDM-373 |
| ページ範囲 | pp.29-34(EID), pp.29-34(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |