| 講演名 | 2017-12-14 バーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAMにおける動作に関する検討 伊藤 凛太郎(岐阜大), 高橋 康宏(岐阜大), 関根 敏和(岐阜大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文で検討するSRAMは，バーチャルグランド構造により保持モード時の漏れ電流を削減し，読み出し用回路により読込安定性の向上を可能とした10T-SRAMである．また，10T-SRAMで使用されているFinFETは二つのゲートを有しており，それらのゲートの接続状況によって動作モードが切り替わる．本論文では低電力動作が期待できるLPモードのFinFETで構成された 10T-SRAMにおいて，消費電力，SNMおよび速度の評価を行い，従来のSG モードの10T-SRAM と比較する． |
| 抄録(英) | The SRAM discussed in this paper is a 10T-SRAM that reduces the leakage current in hold mode by using the virtual ground structure, and it enables the reading stability to be improved by a reading circuit. Also, the FinFET used in the 10T-SRAM has two gates, and the operation mode is switched according to the connection state of these gates. In this paper, we evaluate power consumption, SNM and speed in LP mode 10T-SRAM, compared with the conventional SG mode 10T-SRAM. |
| キーワード(和) | FinFET / SRAM / 断熱的論理 / バーチャルグランド |
| キーワード(英) | FinFET / SRAM / adiabatic logic / virtual ground |
| 資料番号 | CAS2017-89,ICD2017-77,CPSY2017-86 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY / CAS |
|---|---|
| 開催期間 | 2017/12/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | アートホテル石垣島 |
| 開催地（英） | Art Hotel Ishigakijima |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 平木 充(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Mitsuru Hiraki(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 岡崎 秀晃(湘南工科大) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Hideaki Okazaki(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 山口 基(ルネサスシステムデザイン) / 橘 俊宏(湘南工科大) |
| 幹事氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Motoi Yamaguchi(Renesas) / Toshihiro Tachibana(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 中村 洋平(日立) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yohei Nakamura(Hitachi) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Circuits and Systems |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAMにおける動作に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Function Evaluation of Adiabatic FinFET SRAM with Virtual Ground Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 断熱的論理 / adiabatic logic |
| キーワード(4)（和/英） | バーチャルグランド / virtual ground |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 凛太郎 / Rintaro Itoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 康宏 / Yasuhiro Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関根 敏和 / Toshikazu Sekine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-14 |
| 資料番号 | CAS2017-89,ICD2017-77,CPSY2017-86 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | CAS-343,ICD-344,CPSY-345 |
| ページ範囲 | pp.119-122(CAS), pp.119-122(ICD), pp.119-122(CPSY), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |