| 講演名 | 2017-12-15 [Invited Talk] Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs 平山 秀樹(理研), 定 昌史(理研), 前田 哲利(理研), 鹿嶋 行雄(丸文), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) are attracting a great deal of attention, since they have the potential to be used in a wide variety of applications, such as for sterilization, water purification, UV curing, and in the medical and biochemistry fields, and so on. As a result of recent developments in AlGaN DUV LEDs, high internal quantum efficiencies (IQE) of more than 60-70 % have been achieved by reducing the threading dislocation density (TDD) of the AlN, by improving the crystal growth technique and/or by the introduction of AlN single crystal wafers. However, the wall-plug efficiency (WPE) of AlGaN DUV-LEDs still remains at several percent. The first target for the efficiency of AlGaN DUV-LEDs is to go beyond an efficiency of 20%, which would make them comparable to mercury lamps. A significant problem is that the light-extraction efficiency (LEE) of AlGaN DUV-LEDs is still quite low because of heavy UV absorption through the p-GaN contact-layer. Clearly, improving the LEE is a major topic in the development of AlGaN DUV-LEDs. Transparent contact layers and highly reflective electrodes are considered to be necessary in order to obtain sufficiently high LEEs in DUV LEDs. In this work, we demonstrate a record EQE ever reported of over 20% in an AlGaN DUV-LED by using a transparent p-AlGaN contact layer and a highly reflective p-type electrode to improve the LEE. We also demonstrated a record WPE of 10.8% in a DUV LED by suppressing the applying voltage reducing the contact resistance of p-AlGaN/reflective electrode. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | deep-UV LEDAlNAlGaNMOCVDthreading dislocation densitywall plug efficiency |
| 資料番号 | LQE2017-91 |
| 発行日 | 2017-12-08 (LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2017/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / deep-UV LEDAlNAlGaNMOCVDthreading dislocation densitywall plug efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理化学研究所(略称：理研) RIKEN(略称：RIKEN) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 定 昌史 / Masafumi Jo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 理化学研究所(略称：理研) RIKEN(略称：RIKEN) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 哲利 / Noritoshi Maeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 理化学研究所(略称：理研) RIKEN(略称：RIKEN) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鹿嶋 行雄 / Yukio Kashima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 丸文株式会社(略称：丸文) Marubun(略称：Marubun) |
| 発表年月日 | 2017-12-15 |
| 資料番号 | LQE2017-91 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.21-26(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-08 (LQE) |