| 講演名 | 2017-12-14 Drowsyキャッシュによる断熱的FinFET SRAMのばらつきの検証 田中 友貴(岐阜大), 高橋 康宏(岐阜大), 関根 敏和(岐阜大), |
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| 抄録(和) | 本論文では，従来の6T SRAM，DrowsyキャッシュSRAM，アクセストランジスタをLPモードにした「提案回路1」，アクセストランジスタをLPモードのトランスミッションゲートにした「提案回路2」の4種類の回路それぞれについて，FinFETのしきい値電圧を，基準値の許容誤差の分布と乱数でばらつかせ1000回のシミュレーションを行い，回路のスタティックノイズマージン(以下「SNM」と表記)にどれだけの変化が生じるかを検討する． |
| 抄録(英) | This paper inspects the differences of static noise margin of 4 types of SRAM circuits. These circuits are analyzed threshold voltage variability induced by work function fluctuations in 45nm FinFET. |
| キーワード(和) | 断熱的論理 / DrowsyキャッシュSRAM / SRAM消費エネルギーの削減 / モンテカルロシミュレーション |
| キーワード(英) | Adiabatic logic / Drowsy caches SRAM / Reduction of energy consumption / Monte Carlo simulation |
| 資料番号 | CAS2017-77,ICD2017-65,CPSY2017-74 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY / CAS |
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| 開催期間 | 2017/12/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | アートホテル石垣島 |
| 開催地（英） | Art Hotel Ishigakijima |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 平木 充(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Mitsuru Hiraki(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 岡崎 秀晃(湘南工科大) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Hideaki Okazaki(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 山口 基(ルネサスシステムデザイン) / 橘 俊宏(湘南工科大) |
| 幹事氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Motoi Yamaguchi(Renesas) / Toshihiro Tachibana(Shonan Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) / 中村 洋平(日立) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Yohei Nakamura(Hitachi) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Circuits and Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Drowsyキャッシュによる断熱的FinFET SRAMのばらつきの検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Variations and Reliabilities of Drowsy Cache Type Adiabatic FinFET SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 断熱的論理 / Adiabatic logic |
| キーワード(2)（和/英） | DrowsyキャッシュSRAM / Drowsy caches SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM消費エネルギーの削減 / Reduction of energy consumption |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 友貴 / Tomotaka Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 康宏 / Yasuhiro Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関根 敏和 / Toshikazu Sekine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岐阜大学(略称：岐阜大) Gifu University(略称：Gifu Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-14 |
| 資料番号 | CAS2017-77,ICD2017-65,CPSY2017-74 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | CAS-343,ICD-344,CPSY-345 |
| ページ範囲 | pp.71-74(CAS), pp.71-74(ICD), pp.71-74(CPSY), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |