| 講演名 | 2017-12-19 PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器 眞下 和樹(電通大), 石川 亮(電通大), 本城 和彦(電通大), |
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| 抄録(和) | 次世代移動体通信に向けた、4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器の設計・評価を行った。切替素子の挿入損失の影響を極力抑えるため、２倍波短絡用開放スタブに並行に追加線路を配置し、両端同士を各々PINダイオードで接続し、そのON/OFFで等価的に特性インピーダンスを変化させる、という構造を採用し、これを用いて基本波整合を変化させることで、高効率動作帯域の切替を実現した。試作の結果、ON時に4.6 GHzで最大ドレイン効率62%、最大付加電力効率57%、飽和出力電力38dBm、OFF時に5.0 GHzで最大ドレイン効率70%、最大付加電力効率66%、飽和出力電力38dBm、となり、両帯域での高効率動作が確認された。 |
| 抄録(英) | For the next generation wireless communication systems, 4.5-/4.9-GHz band tunable GaN HEMT high efficiency power amplifier was designed and evaluated. In order to minimize an influence of the insertion loss caused by switching elements, an additional line is arranged in parallel with the open-ended stub for the second harmonic treatment. The fabricated GaN HEMT amplifier exhibited a maximum power-added efficiency of 57% and 66%, a maximum drain efficiency of 62% and 70%, and a saturation output power of 38 dBm at 4.6 and 5.0 GHz, respectively, for each switched condition. |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / 高効率 / 帯域可変 / GaN HEMT / PINダイオード |
| キーワード(英) | power amplifier / high efficiency / tunable / GaN HEMT / PIN diode |
| 資料番号 | MW2017-142 |
| 発行日 | 2017-12-12 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2017/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 国士舘大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 学生研究会/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUC) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTTdocomo) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 平野 拓一(東工大) / 中村 宝弘(日立) |
| 幹事氏名（英） | Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Takahiro Nakamura(HITACHI) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小野 哲(電通大) / 本良 瑞樹(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 4.5-/4.9-GHz-Band Tunable GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier with PIN Diode Switches. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 帯域可変 / tunable |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | PINダイオード / PIN diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 眞下 和樹 / Kazuki Mashimo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：Univ. of Electro-Communications) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：Univ. of Electro-Communications) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjou |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：Univ. of Electro-Communications) |
| 発表年月日 | 2017-12-19 |
| 資料番号 | MW2017-142 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | MW-366 |
| ページ範囲 | pp.1-6(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-12 (MW) |