| 講演名 | 2017-11-30 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 池田 優真(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 大島 一輝(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 蟹谷 裕也(ソニー), 冨谷 茂隆(ソニー), |
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| 抄録(和) | LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性（S-Shape）の解析は組成揺らぎの評価手段の一つとして広く用いられている。しかしながら、一般的に用いられているフィッティング関数の導出においては大胆な近似が使われており、この解析を問題なく使える条件は限定的である。そこで本研究では、より汎用性のあるモデルを考案し、このモデルに基づきS-Shapeを計算で求め、実験結果との比較を行った。その結果、従来モデルよりも大幅に広い温度範囲で、理論モデルにより実験結果を再現することができた。 |
| 抄録(英) | Analysis of S-shaped temperature dependence of PL peak energy is widely used to evaluate the degree of compositional fluctuation in InGaN alloy materials used as active layers in LEDs and laser diodes. However, the fitting function commonly used in this analysis is derived on the basis of some bold approximation, and the analysis can be applied in only limited conditions (e.g. high temperature and small carrier density). In this work, we have established a new theoretical model which can be applied in wide ranges of temperature and carrier density. A measured S-shape behavior in an InGaN quantum-well structure has been analyzed by the theoretical model, and it is shown that the S-shaped behavior can be well fitted by our model in a wide temperature range, compared with the conventional model. |
| キーワード(和) | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / S-Shape |
| キーワード(英) | InGaN-QWｓ / compositional fluctuation / S-Shape |
| 資料番号 | ED2017-51,CPM2017-94,LQE2017-64 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detailed analysis of S-shaped temperature dependence of photoluminescence peak energy in InGaN quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWｓ |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / compositional fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | S-Shape / S-Shape |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 優真 / Yuma Ikeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大島 一輝 / Itsuki Oshima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：ソニー) Sony Corporation(略称：Sony) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-51,CPM2017-94,LQE2017-64 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.11-14(ED), pp.11-14(CPM), pp.11-14(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |