| 講演名 | 2017-12-01 Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 舘林 潤(阪大), 稲葉 智宏(阪大), 塩見 圭史(阪大), 藤原 康文(阪大), |
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| 抄録(和) | 我々はEu添加GaN (GaN:Eu)を発光層とした狭帯域赤色発光ダイオード(LED)の実用化に向けて、光出力の増大を目指した研究を行っている。本研究では、フォトン場の制御によるEu発光強度増大を目的として、導電性分布ブラッグ反射鏡（DBR）を用いたGaN:Eu垂直微小共振器LEDを作製した。本LEDでは、微小光共振器構造を有さないLEDと比較して、Eu発光遷移確率が1.06倍、Eu発光強度が4.6倍となることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | It has been an important issue to increase the light output power of Eu-doped GaN (GaN: Eu) red LEDs for their practical use. In this presentation, we demonstrate the realization of red vertical microcavity LEDs composed of conductive distributed Bragg reflector (DBR) with Eu-doped GaN as an active layer and observed a 5-fold increase in light output power of GaN: Eu red LED. |
| キーワード(和) | Eu添加GaN / 分布ブラッグ反射鏡 / OMVPE / 垂直微小共振器 / 発光ダイオード |
| キーワード(英) | Eu-doped GaN / distributed Bragg reflectors / OMVPE / resonant cavity / LEDs |
| 資料番号 | ED2017-58,CPM2017-101,LQE2017-71 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of red resonant cavity LEDs with an Eu-doped GaN as active layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Eu添加GaN / Eu-doped GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 分布ブラッグ反射鏡 / distributed Bragg reflectors |
| キーワード(3)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 垂直微小共振器 / resonant cavity |
| キーワード(5)（和/英） | 発光ダイオード / LEDs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 舘林 潤 / Jun Tatebayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 稲葉 智宏 / Tomohiro Inaba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塩見 圭史 / Keishi Shiomi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Yasuhumi Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-01 |
| 資料番号 | ED2017-58,CPM2017-101,LQE2017-71 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.45-48(ED), pp.45-48(CPM), pp.45-48(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |