| 講演名 | 2017-12-01 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 梶原 瑛祐(東芝), 米原 健矢(東芝), 加藤 大望(東芝), 上杉 謙次郎(東芝), 新留 彩(東芝), 蔵口 雅彦(東芝), 向井 章(東芝), 大野 浩志(東芝), 湯元 美樹(東芝), 吉岡 啓(東芝デバイス&ストレージ), 布上 真也(東芝), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2017-62,CPM2017-105,LQE2017-75 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of PBTI reliability in GaN-MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梶原 瑛祐 / Yosuke Kajiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米原 健矢 / Toshiya Yonehara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 大望 / Daimotsu Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新留 彩 / Aya Shindome |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 向井 章 / Akira Mukai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大野 浩志 / Hiroshi Ono |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 湯元 美樹 / Miki Yumoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 先端ディスクリート開発センター(略称：東芝デバイス&ストレージ) Advanced Discrete Development Center, Toshiba Device & Storage Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 布上 真也 / Shinya Nunoue |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター(略称：東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 発表年月日 | 2017-12-01 |
| 資料番号 | ED2017-62,CPM2017-105,LQE2017-75 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.65-68(ED), pp.65-68(CPM), pp.65-68(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |