講演名 | 2017-11-08 [依頼講演]GaN増幅器と1-bitトランシーバを用いた5G・28GHz帯ロングレンジ用デジタルアクティブアンテナの試作 金子 友哉(NEC), 桑原 俊秀(NEC), 田和 憲明(NEC), 谷尾 真明(NEC), 田邊 浩介(NEC), 國弘 和明(NEC), |
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抄録(和) | 5G無線アクセスシステムでは、高速化・大容量化が求められており、高SHF帯/ミリ波帯でビームフォーミングを用いた広帯域伝送が検討されている。我々は、28GHz帯で高出力窒化ガリウム(GaN) HEMT増幅器と480素子アレーアンテナによるロングレンジと、デジタルビームフォーミングによる複数ビーム生成とフレキシビリティをめざしアクティブアンテナ試作を行った。高出力化に伴いミリ波帯に適したアンテナ素子間隔と放熱の両立を検討、デジタル化に伴い多数個のデータコンバータの小型省電力化のために1-bitトランシーバを採用した。EIRP 68dBm、最大ビーム数理論値32となる。試作と今後の課題について報告する。 |
抄録(英) | This paper reports the design and performance of a 28GHz Digital Active Antenna System(AAS) prototype for 5G long-range base station application. AAS accommodates high power 0.15 um GaN HEMT amplifiers and 480 elements array antenna for long-range application, and the digital beam-forming for simultaneous multi-beams and flexibility. The new architecture is proposed and discussed for realizing mm-Wave antenna element interval and thermal management. And 1-bit transmitters and 1-bit receivers are introduced for smaller size and less power consumption of multiple data convertors in digital beam-forming. The average EIRP is 68dBm and theoretical maximum spectrum efficiency is 32 bps/Hz. |
キーワード(和) | 第5世代モバイルアクセス / eMBB / 高SHF帯 / ミリ波 / デジタルビームフォーミング / 窒化ガリウム / 増幅器 / 1-bitトランシーバ |
キーワード(英) | 5G / eMBB / millimeter-wave / digital beam-forming / GaN / amplifier / 1-bit transceiver |
資料番号 | AP2017-113,RCS2017-210 |
発行日 | 2017-11-01 (AP, RCS) |
研究会情報 | |
研究会 | AP / RCS |
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開催期間 | 2017/11/8(から3日開催) |
開催地(和) | 福岡大学 |
開催地(英) | Fukuoka University |
テーマ(和) | アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般 |
テーマ(英) | Adaptive Antenna, Equalization, Interference Canceler, MIMO, Wireless Communications, etc. |
委員長氏名(和) | 広川 二郎(東工大) / 村田 英一(京大) |
委員長氏名(英) | Jiro Hirokawa(Tokyo Tech.) / Hidekazu Murata(Kyoto Univ.) |
副委員長氏名(和) | 山口 良(ソフトバンク) / 眞田 幸俊(慶大) / 福田 英輔(富士通研) / 須山 聡(NTTドコモ) |
副委員長氏名(英) | Ryo Yamaguchi(SoftBank) / Yukitoshi Sanada(Keio Univ.) / Eisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Satoshi Suyama(NTT DoCoMo) |
幹事氏名(和) | 今井 哲朗(NTTドコモ) / 木村 雄一(埼玉大) / 旦代 智哉(東芝) / 西村 寿彦(北大) |
幹事氏名(英) | Tetsuro Imai(NTT DoCoMo) / Yuichi Kimura(Saitama Univ.) / Tomoya Tandai(Toshiba) / Toshihiko Nishimura(Hokkaido Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 竹村 暢康(日本工大) / 山口 聡(三菱電機) / 山本 哲矢(パナソニック) / 石原 浩一(NTT) / 村岡 一志(NEC) / 衣斐 信介(阪大) / 西本 浩(三菱電機) |
幹事補佐氏名(英) | Nobuyasu Takemura(Nippon Inst. of Tech.) / Satoshi Yamaguchi(Mitsubishi Electric) / Tetsuya Yamamoto(Panasonic) / Koichi Ishihara(NTT) / Kazushi Muraoka(NEC) / Shinsuke Ibi(Osaka Univ.) / Hiroshi Nishimoto(Mitsubishi Electric) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Antennas and Propagation / Technical Committee on Radio Communication Systems |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [依頼講演]GaN増幅器と1-bitトランシーバを用いた5G・28GHz帯ロングレンジ用デジタルアクティブアンテナの試作 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Lecture] Prototyping of 28 GHz Digital Active Antenna System using GaN HEMT Amplifiers and 1-bit Transceivers for 5G Long-range Base Station Applications |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 第5世代モバイルアクセス / 5G |
キーワード(2)(和/英) | eMBB / eMBB |
キーワード(3)(和/英) | 高SHF帯 / millimeter-wave |
キーワード(4)(和/英) | ミリ波 / digital beam-forming |
キーワード(5)(和/英) | デジタルビームフォーミング / GaN |
キーワード(6)(和/英) | 窒化ガリウム / amplifier |
キーワード(7)(和/英) | 増幅器 / 1-bit transceiver |
キーワード(8)(和/英) | 1-bitトランシーバ |
第 1 著者 氏名(和/英) | 金子 友哉 / Tomoya Kaneko |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 桑原 俊秀 / Toshihide Kuwabara |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 田和 憲明 / Noriaki Tawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 谷尾 真明 / Masaaki Tanio |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 田邊 浩介 / Kousuke Tanabe |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 國弘 和明 / Kazuaki Kunihiro |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社(略称:NEC) NEC Corporation(略称:NEC) |
発表年月日 | 2017-11-08 |
資料番号 | AP2017-113,RCS2017-210 |
巻番号(vol) | vol.117 |
号番号(no) | AP-283,RCS-284 |
ページ範囲 | pp.31-36(AP), pp.35-40(RCS), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2017-11-01 (AP, RCS) |