| 講演名 | 2017-11-30 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 植村 圭佑(北大), 松本 悟(北大), 渡久地 政周(北大), 伊藤 圭亮(北大), 佐藤 威友(北大), |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学反応を制御することにより，パターニングしたSiO2保護膜の窓開け部分にのみGaN表面が選択酸化された．自己酸化膜（GaOx）はアルカリ処理により容易に除去され，従来のドライエッチング表面と比べて加工損傷の抑制されたエッチング表面が得られた．この低損傷エッチングプロセスは，AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ（HEMT）のリセスゲート加工に有用であることを示した．開発したナノスケール精度を有するエッチングにより，HEMTのしきい値電圧が精密に制御されることを明らかにした． |
| 抄録(英) | The photo-electrochemical oxidation and etching process was demonstrated in view of the damage-free etching for GaN and related materials. The photo-electrochemical oxidation was selectively conducted on the opened area of the SiO2-masked GaN surface. The Ga-oxide films were easily removed by the alkaline-treatments, where lower-damaged surface was obtained as compared with the surface obtained after the conventional dry-etching. Such low-damage etching process was very useful to fabricate the recessed-gate structure in AlGaN/GaN HEMTs. The threshold-voltage of HEMTs was precisely controlled with the etching depth with accuracy in a nanometer-range. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN/GaN HEMT / 電気化学酸化 / ウェットエッチング / リセスゲート構造 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN/GaN HEMT / electrochemical oxidation / wet etching / recessed-gate |
| 資料番号 | ED2017-54,CPM2017-97,LQE2017-67 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage etching of nitride semiconductors utilizing photo-electrochemical reactions for electron devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学酸化 / electrochemical oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | ウェットエッチング / wet etching |
| キーワード(5)（和/英） | リセスゲート構造 / recessed-gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植村 圭佑 / Keisuke Uemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 悟 / Satoru Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 圭亮 / Keisuke Ito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-54,CPM2017-97,LQE2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.23-26(ED), pp.23-26(CPM), pp.23-26(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |