| 講演名 | 2017-11-30 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 太田 有亮(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流－電圧特性を詳しく調べた。その結果、光起電力スペクトル測定よりも光電流スペクトル測定の方が、結合状態密度の把握に有用であることがわかった。また、光励起のLEDに逆バイアスを印加することによって、光電流と活性層内での再結合の割合が変化する様子を簡単な理論モデルで説明することができた。 |
| 抄録(英) | Current-voltage characteristics under photo-excitation in nitride-based LEDs have been measured to investigate the electronic structures and carrier dynamics in active layers of the devices. It is found that photocurrent spectroscopy reflects the joint density of states more directly than photovoltaic spectroscopy. In addition, the experimental results have been successfully reproduced by a simple rate-equation model considering carrier-leakage induced photo-current and inside recombination processes in the LEDs under reverse-bias condition. |
| キーワード(和) | LED / 電流ー電圧特性 / 光電流 / 光起電力 / 窒化物半導体 |
| キーワード(英) | LED / current - voltage characteristics / photocurrent / photovoltaic effects / III-nitride |
| 資料番号 | ED2017-50,CPM2017-93,LQE2017-63 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Model Analysis of I-V and Photoluminescence Characteristics under Photo-Excitation in InGaN LEDs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(2)（和/英） | 電流ー電圧特性 / current - voltage characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | 光電流 / photocurrent |
| キーワード(4)（和/英） | 光起電力 / photovoltaic effects |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化物半導体 / III-nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 有亮 / Yusuke Ota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-50,CPM2017-93,LQE2017-63 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.7-10(ED), pp.7-10(CPM), pp.7-10(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |