講演名 2017-12-01
m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化
定 昌史(理研), 南 聡史(理研), 平山 秀樹(理研),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2017-68,CPM2017-111,LQE2017-81
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / CPM / ED
開催期間 2017/11/30(から2日開催)
開催地(和) 名古屋工業大学
開催地(英) Nagoya Inst. tech.
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies
委員長氏名(和) 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝)
委員長氏名(英) Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba)
副委員長氏名(和) 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大)
副委員長氏名(英) Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU)
幹事氏名(和) 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事氏名(英) Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)
幹事補佐氏名(和) 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Thermal annealing of semipolar AlN on m-plane sapphire
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 定 昌史 / Masafumi Jo
第 1 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
第 2 著者 氏名(和/英) 南 聡史 / Satoshi Minami
第 2 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
第 3 著者 氏名(和/英) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama
第 3 著者 所属(和/英) 理化学研究所(略称:理研)
RIKEN(略称:RIKEN)
発表年月日 2017-12-01
資料番号 ED2017-68,CPM2017-111,LQE2017-81
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-331,CPM-332,LQE-333
ページ範囲 pp.91-94(ED), pp.91-94(CPM), pp.91-94(LQE),
ページ数 4
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE)