講演名 2017-11-30
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定
清水 奈緒人(金沢工大), 高橋 佑知(金沢工大), 小林 玄季(金沢工大), 中納 隆(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 蟹谷 裕也(ソニー), 冨谷 茂隆(ソニー),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2017-49,CPM2017-92,LQE2017-62
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / CPM / ED
開催期間 2017/11/30(から2日開催)
開催地(和) 名古屋工業大学
開催地(英) Nagoya Inst. tech.
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies
委員長氏名(和) 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝)
委員長氏名(英) Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba)
副委員長氏名(和) 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大)
副委員長氏名(英) Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU)
幹事氏名(和) 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事氏名(英) Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)
幹事補佐氏名(和) 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定
サブタイトル(和)
タイトル(英) A novel method to measure absolute internal quantum efficiency in InGaN quantum wells by simultaneous photo-acoustic and photoluminescence spectroscopy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 清水 奈緒人 / Naoto Shimizu
第 1 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 佑知 / Yuchi Takahashi
第 2 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 3 著者 氏名(和/英) 小林 玄季 / Genki Kobayashi
第 3 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 4 著者 氏名(和/英) 中納 隆 / Takashi Nakano
第 4 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 5 著者 氏名(和/英) 坂井 繁太 / Shigeta Sakai
第 5 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 6 著者 氏名(和/英) 山口 敦史 / Atsusi A. Yamaguchi
第 6 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:Kanazawa Inst. of Tech.)
第 7 著者 氏名(和/英) 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani
第 7 著者 所属(和/英) ソニー株式会社(略称:ソニー)
Sony Corporation(略称:Sony)
第 8 著者 氏名(和/英) 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya
第 8 著者 所属(和/英) ソニー株式会社(略称:ソニー)
Sony Corporation(略称:Sony)
発表年月日 2017-11-30
資料番号 ED2017-49,CPM2017-92,LQE2017-62
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-331,CPM-332,LQE-333
ページ範囲 pp.1-6(ED), pp.1-6(CPM), pp.1-6(LQE),
ページ数 6
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE)