| 講演名 | 2017-12-01 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 吉澤 涼(三重大), 林 侑介(三重大), 三宅 秀人(三重大), 平松 和政(三重大), |
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| 抄録(和) | AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率なデバイスの実現には高品質なAlNが必要である．しかしAlNの成長用下地基板であるサファイアとの格子定数差,熱膨張係数差から高密度の貫通転位が発生する．この問題に対してスパッタ法と熱処理法を組み合わせた技術が注目されている．しかしスパッタ法で作製したAlNには不純物が多く含まれるため,その後のデバイス層に悪影響を及ぼす可能性がある．そこでスパッタ法に比べてより不純物密度の少ないMOVPE法を組み合わせることで高品質且つ高純度なAlNテンプレートの実現を目指した．本プロセスで作製したAlNは従来の作製方法と同等の結晶性が得られたとともに,不純物密度に関しても従来の作製方法よりも低い値が得られた． |
| 抄録(英) | AlN is a wide band gap semiconductor and has attracted attention as a material for deep UV light device because its thermal and chemical properties are stable. A high-quality AlN film is necessary to realize a highly efficient device. However, high-density threading dislocations are generated from lattice mismatch and difference of thermal expansion coefficient between AlN and sapphire substrate. A technique combining a sputtering and thermal annealing against this problem has attracted attention. However, since AlN film deposited by the sputtering contains a lot of impurities, there is possibility that subsequent epitaxial layers will be adversely affected. Therefore, we aimed to realize high-quality and high-purity AlN template by combining MOVPE with less impurity density than sputtering. The crystallinity of AlN fabricated by this process was equivalent to that of the conventional fabrication methods and the impurity density was lower than that of the conventional fabrication methods. |
| キーワード(和) | AlN / サファイア / スパッタ / MOVPE / アニール |
| キーワード(英) | AlN / Sapphire / Sputtering / MOVPE / Annealing |
| 資料番号 | ED2017-66,CPM2017-109,LQE2017-79 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Homoepitaxial growth on sputtered AlN templates by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア / Sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ / Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | アニール / Annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉澤 涼 / Ryo Yoshizawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-01 |
| 資料番号 | ED2017-66,CPM2017-109,LQE2017-79 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.83-86(ED), pp.83-86(CPM), pp.83-86(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |