| 講演名 | 2017-11-30 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次(福井大), 今立 宏美(福井大), 三島 友義(法政大), |
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| 抄録(和) | GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo, Au, Pd, Ni, Pt)のショットキー電極を形成し、電気的特性の評価を行った。参照試料として、自立GaN基板上に成長したGa極性のc面n-GaNも同様に評価した。I-V特性から求めた理想因子(n値)はm面では1.02～1.05、c面では1.02～1.09と良好な値を示した。m面、及びc面n-GaNの逆方向I-V特性は金属を変えても熱電界放出理論に従うことを明らかにした。m面n-GaNはショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性がGa極性のc面n-GaNと同程度である。。これらの結果は、フェルミ準位ピンニングがc面n-GaNと同程度に小さい清浄なm面n-GaNが劈開法により得られることを示した。 |
| 抄録(英) | We report electrical characteristics of Schottky contacts with 9 different metals (Ag, Ti, Cr, W, Mo, Au, Pd, Ni, Pt) formed on clean m-plane surfaces by cleaving free-standing GaN substrates, comparing with the contacts on Ga-polar c-plane n-GaN surfaces grown on GaN substrates. The n-values in the forward current-voltage (I-V) characteristics are as good as 1.02 to 1.05 for the m-plane and 1.02 to 1.09 for the c-plane samples. We found that the reverse I-V curves of the both samples can be explained with the thermionic field emission theory, and the m-plane contacts have a metal work-function dependence of Schottky barrier heights as large as that of the Ga-polar c-plane n-GaN contacts. These results tell us that the cleaving method can provide the clean m-plane surfaces where Fermi-level pinning is as small as those of the c-plane. |
| キーワード(和) | m面GaN / 劈開 / 仕事関数 / ショットキー接触 |
| キーワード(英) | m-plane GaN / cleaving / metal workfunction / Schottky contact |
| 資料番号 | ED2017-56,CPM2017-99,LQE2017-69 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 |
| サブタイトル（和） | 金属仕事関数依存性 |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on cleaved surfaces of free-standing substrates |
| サブタイトル（和） | Metal workfunction dependence of Schottky barrier height |
| キーワード(1)（和/英） | m面GaN / m-plane GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 劈開 / cleaving |
| キーワード(3)（和/英） | 仕事関数 / metal workfunction |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今立 宏美 / Hiroyoshi Imadate |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-56,CPM2017-99,LQE2017-69 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.33-38(ED), pp.33-38(CPM), pp.33-38(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |