| 講演名 | 2017-11-30 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 塩島 謙次(福井大), 橋爪 孝典(福井大), 堀切 文正(サイオクス), 田中 丈士(サイオクス), 三島 友義(法政大), |
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| 抄録(和) | GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12μmのn-GaN厚膜低キャリアドリフト層（ｎ＝1×1016 cm-3）を平坦、又は波形表面モフォロジーをもつ自立GaN基板に上に成長した。界面顕微光応答測定により、平坦な表面をもつ試料はキャリア濃度に関係なく、均一なショットキー界面をもつことが明らかになった。一方、波形表面モフォロジーをもつ試料では、低キャリア濃度において光電流像に同様なパターンが観察された。結晶成長中にCの取り込み量が傾斜角度の影響を受け、キャリア濃度が変化したと考えられる。これらの結果は界面顕微光応答法がウエハー全面に渡りキャリア濃度、補償の不均一性を評価することに適した手法であることを示している。 |
| 抄録(英) | We characterized the effect of the surface morphology on electrical properties of the n-GaN drift-layers by using scanning internal photoemission microscopy (SIPM). We grew 12-?m-thick low-carrier-concentration (around 1×1016 cm-3) n-GaN layers with both flat and wavy surface morphologies on free-standing GaN substrates by metal organic chemical vapor deposition. In the SIPM results, the samples with flat surfaces exhibited uniform photocurrent distribution independently of the carrier concentration. On the other hand, we obtained the same wavy pattern in the photocurrent maps as the surface morphology for the samples in low-carrier concentration. These results indicate that the amount of C incorporation during the growth was affected by off-angle of the GaN surface and the carrier compensation by C atoms was changed. We demonstrated that SIPM is a powerful tool to nondestructively visualized inhomogeneity of the carrier compensation over the wafer. |
| キーワード(和) | n-GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / 表面モフォロジー |
| キーワード(英) | n-GaN / Schottky contact / Scanning internal photoemission microscopy / surface morphology |
| 資料番号 | ED2017-55,CPM2017-98,LQE2017-68 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of wavy surface morphology of n-GaN using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-GaN / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋爪 孝典 / Takanori Hashizume |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀切 文正 / Masafumi Horikiri |
| 第 3 著者 所属（和/英） | サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS(略称：SCIOCS) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 丈士 / Takeshi Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS(略称：SCIOCS) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-55,CPM2017-98,LQE2017-68 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.27-32(ED), pp.27-32(CPM), pp.27-32(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |