| 講演名 | 2017-12-01 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 グェンスァン チュン(名大), 田岡 紀之(産総研), 大田 晃生(名大), 山田 永(産総研), 高橋 言緒(産総研), 池田 弥央(名大), 牧原 克典(名大), 清水 三聡(産総研), 宮崎 誠一(名大), |
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| 抄録(和) | SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から800度Cの堆積後熱処理(PDA)を行い、その化学結合状態および電気特性を詳細に調べた。PDAによって、GaのSiO2中への拡散がみられたが、その拡散量は800度Cにおいても、0.1%以下であることが明らかとなった。結果として、PDAによる顕著な化学結合状態の変化は見られなかった。更に、800度CのPDAにより欠陥準位及び固定電荷密度の減少、SiO2膜の絶縁特性の向上がみられた。これらのことは、ROPE-CVDで形成したSiO2/GaN構造は、高熱安定性を有しており、高信頼性GaNデバイスの実現に有望な構造であることを示している。 |
| 抄録(英) | Impacts of post-deposition annealing (PDA) on interface properties in a SiO2/GaN structure formed by a remote oxygen plasma enhanced chemical vapor deposition (ROPE-CVD) method were systematically investigated. Although Ga diffusion into the SiO2 layer was found after PDA, the amount of Ga is less than 0.1% even after PDA at 800 degree C. As a result, no significant change of the chemical bonding features was observed after PDA. Furthermore, reduction of interface trap density and fixed oxide charge density, and improvement of the breakdown properties of the SiO2 layer after PDA at 800 degree C were observed. These results indicate that the SiO2/GaN structure formed by ROPE-CVD has high thermal stability, which is a candidate structure for GaN power devices with high reliability. |
| キーワード(和) | SiO2/GaN / 堆積後熱処理 / 界面特性 / 絶縁特性 |
| キーワード(英) | SiO2/GaN / Post deposition annealing / Interface properties / breakdown property |
| 資料番号 | ED2017-61,CPM2017-104,LQE2017-74 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Chemical Structure and Electrical Properties of Remote O2 Plasma Enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiO2/GaN / SiO2/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 堆積後熱処理 / Post deposition annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 界面特性 / Interface properties |
| キーワード(4)（和/英） | 絶縁特性 / breakdown property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | グェンスァン チュン / NguyenXuan Truyen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 GaN OIL(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL(略称：AIST GaN OIL) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大田 晃生 / Akio Ohta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 永 / Hisashi Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 GaN OIL(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL(略称：AIST GaN OIL) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 言緒 / Tokio Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 GaN OIL(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL(略称：AIST GaN OIL) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 GaN OIL(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL(略称：AIST GaN OIL) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-12-01 |
| 資料番号 | ED2017-61,CPM2017-104,LQE2017-74 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.61-64(ED), pp.61-64(CPM), pp.61-64(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |