| 講演名 | 2017-11-10 ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） 来栖 貴史(東芝メモリ), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2017-67 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/11/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] SISPAD 2017 Review (2) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 来栖 貴史 / Takashi Kurusu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：TMC) |
| 発表年月日 | 2017-11-10 |
| 資料番号 | SDM2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-290 |
| ページ範囲 | pp.33-36(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |